金属氧化物的等离子体增强化学气相沉积

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200580016213.2
申请日
2005-05-20
公开(公告)号
CN1957109A
公开(公告)日
2007-05-02
发明(设计)人
D·P·迪内加 C·M·魏卡特
申请人
申请人地址
美国密歇根州
IPC主分类号
C23C1640
IPC分类号
C23C1650
代理机构
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人
程伟
法律状态
公开
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
金属氧化物层形成方法和等离子体增强化学气相沉积装置 [P]. 
高东均 ;
金友镇 ;
金仁教 ;
朴瑾禧 ;
郑石源 .
中国专利 :CN109385617A ,2019-02-26
[2]
由等离子体增强化学气相沉积的耐磨涂层 [P]. 
A·M·加贝尔尼克 ;
C·A·兰伯特 ;
J·M·瓦拉科姆斯基 ;
L·M·阿尔特斯 .
中国专利 :CN101048533A ,2007-10-03
[3]
等离子体增强化学气相沉积设备 [P]. 
姜杉 ;
李建东 ;
杨志永 .
中国专利 :CN201587981U ,2010-09-22
[4]
等离子体增强化学气相沉积设备 [P]. 
欧阳亮 .
中国专利 :CN120231033A ,2025-07-01
[5]
等离子体增强化学气相沉积装置 [P]. 
张佳纯 .
中国专利 :CN107675144A ,2018-02-09
[6]
等离子体增强化学气相沉积装置 [P]. 
陈金元 ;
刘传生 .
中国专利 :CN101974738A ,2011-02-16
[7]
等离子体增强化学气相沉积装置 [P]. 
韦刚 .
中国专利 :CN101880867A ,2010-11-10
[8]
等离子体增强化学气相沉积设备 [P]. 
吴斌 .
中国专利 :CN222935510U ,2025-06-03
[9]
等离子体增强化学气相沉积装置 [P]. 
苏同上 ;
王东方 ;
杜生平 ;
袁广才 .
中国专利 :CN205556778U ,2016-09-07
[10]
等离子体增强化学气相沉积设备 [P]. 
洪性喆 ;
李万镐 .
中国专利 :CN104769156A ,2015-07-08