溅射用镧靶

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201080012413.1

申请日：

2010-03-17

公开(公告)号：

CN102356180A

公开(公告)日：

2012-02-15

发明(设计)人：

塚本志郎大月富男

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

C23C1434

IPC分类号：

B21J500 C22C2800 C22F100

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

王海川;穆德骏

法律状态：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-04-26	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101750568749 IPC(主分类):C23C 14/34 专利号:ZL2010800124131 变更事项:专利权人变更前:吉坤日矿日石金属株式会社变更后:捷客斯金属株式会社变更事项:地址变更前:日本东京变更后:日本东京
2012-03-28	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101212137143 IPC(主分类):C23C 14/34 专利申请号:2010800124131 申请日:20100317
2012-02-15	公开	公开
2013-11-06	授权	授权

共 50 条

[1]

溅射用镧靶 [P].

塚本志郎 ;

大月富男 .

中国专利 :CN102378825A ,2012-03-14

[2]

一种溅射用铌管状靶材的制备方法 [P].

王国栋 ;

林小辉 ;

梁静 ;

李来平 .

中国专利 :CN102489951A ,2012-06-13

[3]

一种磁控溅射用管状铌靶材的制备方法 [P].

杜永成 ;

王歆锐 ;

樊雅丽 .

中国专利 :CN102794617A ,2012-11-28

[4]

磁控溅射介质靶防龟裂加固箍环 [P].

林立强 ;

朱健 .

中国专利 :CN2765321Y ,2006-03-15

[5]

一种减少铜靶材预溅射时间的方法 [P].

姚力军 ;

边逸军 ;

潘杰 ;

王学泽 ;

慕二龙 ;

汪焱斌 .

中国专利 :CN113579862A ,2021-11-02

[6]

用于真空磁控溅射的低含金量玫瑰金靶材及其制备方法 [P].

赵宏达 ;

刘革 ;

于志凯 .

中国专利 :CN102703751B ,2012-10-03

[7]

真空气体保护压力烧结制备TiB2直流磁控溅射镀膜靶 [P].

贾泽夏 ;

庄志杰 .

中国专利 :CN105018890A ,2015-11-04

[8]

溅射靶材 [P].

玉田悠 ;

齐藤和也 ;

上坂修治郎 ;

熊谷友正 .

中国专利 :CN106868459B ,2017-06-20

[9]

磁记录介质用溅射靶及其制造方法 [P].

荻野真一 ;

中村祐一郎 .

中国专利 :CN104170015B ,2014-11-26

[10]

溅射靶部件的制造方法以及溅射靶部件 [P].

久家俊洋 .

中国专利 :CN111660143A ,2020-09-15

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