半导体晶圆基片上硅晶体缺陷的快速检测方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201811068572.8
申请日
2018-09-13
公开(公告)号
CN109360793A
公开(公告)日
2019-02-19
发明(设计)人
华佑南 李兵海 李晓旻
申请人
申请人地址
215123 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区09栋507
IPC主分类号
H01L2166
IPC分类号
代理机构
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237
代理人
朱琳
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
检测硅晶体缺陷的方法 [P]. 
华佑南 ;
李晓旻 .
中国专利 :CN104155302B ,2014-11-19
[2]
硅晶体缺陷检测方法 [P]. 
张兆民 .
中国专利 :CN107316822A ,2017-11-03
[3]
半导体晶圆的缺陷位置检测方法 [P]. 
山本雅之 ;
池田谕 .
中国专利 :CN101339913A ,2009-01-07
[4]
半导体晶圆的检测方法 [P]. 
石永维 ;
孙新 ;
周福岩 ;
常敏丰 ;
郝文亭 .
中国专利 :CN119438251A ,2025-02-14
[5]
一种硅衬底内部的硅晶体缺陷的检测方法 [P]. 
华佑南 ;
李晓旻 .
中国专利 :CN111220636A ,2020-06-02
[6]
化合物半导体的晶体缺陷观察方法 [P]. 
佐佐木肇 .
中国专利 :CN114599965A ,2022-06-07
[7]
化合物半导体的晶体缺陷观察方法 [P]. 
佐佐木肇 .
日本专利 :CN114599965B ,2025-09-26
[8]
半导体晶圆玻璃基片 [P]. 
高璐 ;
张汇东 ;
张九福 ;
张细香 .
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[9]
半导体晶圆的清洗方法、半导体晶圆的制造方法及半导体晶圆 [P]. 
柳井凉一 .
日本专利 :CN120731491A ,2025-09-30
[10]
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陆小龙 ;
陆小慧 .
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