硅基负极材料及其制备方法和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011053174.6

申请日：

2020-09-29

公开(公告)号：

CN112186188A

公开(公告)日：

2021-01-05

发明(设计)人：

谌庆春彭果戈夏振宇蔡志炬何凤荣

申请人：

申请人地址：

523871 广东省东莞市长安镇振安中路368号

IPC主分类号：

H01M462

IPC分类号：

H01M438 H01M448 H01M4131 H01M4134 H01M100525

代理机构：

北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201

代理人：

肖阳

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-01-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01M 4/62 申请日:20200929
2021-01-05	公开	公开

共 50 条

[1]

一种硅基负极材料及其制备方法和应用 [P].

张一品 ;

罗小霞 ;

李远洋 ;

刘俊 ;

岳敏 .

中国专利 :CN118712345A ,2024-09-27

[2]

一种硅基负极材料及其制备方法和应用 [P].

赖凤麟 ;

高云 ;

钟志良 ;

安富强 .

中国专利 :CN119419252A ,2025-02-11

[3]

一种硅基负极材料及其制备方法和应用 [P].

侯林 .

中国专利 :CN114388738A ,2022-04-22

[4]

一种硅基负极材料及其制备方法和应用 [P].

随东 ;

孙志蓉 ;

刘文文 ;

杨艳良 ;

安然 .

中国专利 :CN120097346B ,2025-09-16

[5]

一种硅基负极材料及其制备方法和应用 [P].

赖凤麟 ;

高云 ;

钟志良 ;

安富强 .

中国专利 :CN119400837A ,2025-02-07

[6]

一种硅基负极材料及其制备方法和应用 [P].

随东 ;

孙志蓉 ;

刘文文 ;

杨艳良 ;

安然 .

中国专利 :CN120097346A ,2025-06-06

[7]

一种硅基负极材料及其制备方法和应用 [P].

侯林 .

中国专利 :CN114388738B ,2024-01-02

[8]

硅基负极材料及其制备方法和应用 [P].

查道松 ;

李喆 ;

罗姝 ;

张和宝 ;

王岑 .

中国专利 :CN113594430B ,2021-11-02

[9]

硅基负极材料及其制备方法和应用 [P].

陈宇方 ;

左兰兰 ;

郑春满 ;

陆地 ;

杨天衍 ;

肖培涛 .

中国专利 :CN115810731B ,2024-09-17

[10]

硅基负极材料及其制备方法和应用 [P].

罗晨刚 ;

孔文静 ;

雷丹 .

中国专利 :CN120432516A ,2025-08-05

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