一种硅基负极材料及其制备方法和应用

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202510581983.0
申请日
2025-05-07
公开(公告)号
CN120097346B
公开(公告)日
2025-09-16
发明(设计)人
随东 孙志蓉 刘文文 杨艳良 安然
申请人
洛阳师范学院
申请人地址
471934 河南省洛阳市伊滨区吉庆路6号
IPC主分类号
C01B33/02
IPC分类号
C01B33/021 H01M4/36 H01M4/38 H01M4/48 H01M4/583 H01M4/62 H01M10/0525
代理机构
洛阳九创知识产权代理事务所(普通合伙) 41156
代理人
炊万庭
法律状态
公开
国省代码
河南省 洛阳市
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共 50 条
[1]
一种硅基负极材料及其制备方法和应用 [P]. 
随东 ;
孙志蓉 ;
刘文文 ;
杨艳良 ;
安然 .
中国专利 :CN120097346A ,2025-06-06
[2]
硅基负极材料及其制备方法和应用 [P]. 
谌庆春 ;
彭果戈 ;
夏振宇 ;
蔡志炬 ;
何凤荣 .
中国专利 :CN112186188A ,2021-01-05
[3]
硅基负极材料及其制备方法和应用 [P]. 
罗晨刚 ;
孔文静 ;
雷丹 .
中国专利 :CN120432516A ,2025-08-05
[4]
一种硅基负极材料及其制备方法和应用 [P]. 
赖凤麟 ;
高云 ;
钟志良 ;
安富强 .
中国专利 :CN119419252A ,2025-02-11
[5]
一种硅基负极材料及其制备方法和应用 [P]. 
张一品 ;
罗小霞 ;
李远洋 ;
刘俊 ;
岳敏 .
中国专利 :CN118712345A ,2024-09-27
[6]
一种硅基负极材料及其制备方法和应用 [P]. 
谭鸿锦 ;
曾雷英 ;
谢灵杰 ;
凌明霞 ;
陈磊 ;
刘文川 ;
魏国祯 .
中国专利 :CN119495729A ,2025-02-21
[7]
一种硅基负极材料及其制备方法和应用 [P]. 
赖凤麟 ;
高云 ;
钟志良 ;
安富强 .
中国专利 :CN119400837A ,2025-02-07
[8]
一种改性硅基负极材料及其制备方法和应用 [P]. 
王静 ;
刘柏男 ;
罗飞 .
中国专利 :CN117936702A ,2024-04-26
[9]
一种硅基负极材料及其制备方法和应用 [P]. 
王秀田 ;
曾绍忠 ;
赵志刚 ;
陈效华 .
中国专利 :CN104332594B ,2015-02-04
[10]
一种硅基负极材料及其制备方法和应用 [P]. 
韩美胜 ;
于杰 ;
李振伟 .
中国专利 :CN113479890B ,2021-10-08