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一种硅基负极材料及其制备方法和应用

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411582584.8
申请日：
2024-11-07
公开(公告)号：
CN119419252A
公开(公告)日：
2025-02-11
发明(设计)人：
赖凤麟 高云 钟志良 安富强
申请人：
福建龙净储能电池有限公司
申请人地址：
364205 福建省龙岩市上杭县白砂镇大科村大华路48号
IPC主分类号：
H01M4/36
IPC分类号：
H01M4/38 H01M4/62 H01M4/134 H01M4/1395 H01M4/04 H01M10/0525
代理机构：
北京品源专利代理有限公司 11332
代理人：
王艳斋
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-02-28 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H01M 4/36申请日:20241107
2025-02-11 公开 公开
共 50 条
[1]
一种硅基负极材料及其制备方法和应用 [P]. 
赖凤麟 ;
高云 ;
钟志良 ;
安富强 .
中国专利 :CN119400837A ,2025-02-07
[2]
一种硅基负极材料及其制备方法和应用 [P]. 
张一品 ;
罗小霞 ;
李远洋 ;
刘俊 ;
岳敏 .
中国专利 :CN118712345A ,2024-09-27
[3]
硅基负极材料及其制备方法和应用 [P]. 
谌庆春 ;
彭果戈 ;
夏振宇 ;
蔡志炬 ;
何凤荣 .
中国专利 :CN112186188A ,2021-01-05
[4]
一种硅基负极材料及其制备方法和应用 [P]. 
苏甜 ;
周经纬 ;
马勇 .
中国专利 :CN116344768B ,2025-08-19
[5]
一种硅基负极材料及其制备方法和应用 [P]. 
随东 ;
孙志蓉 ;
刘文文 ;
杨艳良 ;
安然 .
中国专利 :CN120097346B ,2025-09-16
[6]
一种硅基负极材料及其制备方法和应用 [P]. 
随东 ;
孙志蓉 ;
刘文文 ;
杨艳良 ;
安然 .
中国专利 :CN120097346A ,2025-06-06
[7]
硅基负极材料及其制备方法和应用 [P]. 
李彩彩 ;
杜思红 .
中国专利 :CN117766709A ,2024-03-26
[8]
一种硅基负极材料及其制备方法、应用 [P]. 
王秀田 ;
赵志刚 ;
海滨 ;
朱广燕 ;
杨玉梅 .
中国专利 :CN105680012B ,2016-06-15
[9]
一种改性硅基负极材料及其制备方法和应用 [P]. 
王静 ;
刘柏男 ;
罗飞 .
中国专利 :CN117936702A ,2024-04-26
[10]
硅基负极材料及其制备方法与应用 [P]. 
柯卓 ;
高瑛 ;
李志 .
中国专利 :CN117878278A ,2024-04-12
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