一种钕铁硼磁体及其制备方法

被引：0

申请号：

CN202110262716.9

申请日：

2021-03-10

公开(公告)号：

CN115083708A

公开(公告)日：

2022-09-20

发明(设计)人：

汤志辉黄佳莹韦兴李志刚许德钦陈大崑

申请人：

申请人地址：

366300 福建省龙岩市长汀经济开发区工业新区

IPC主分类号：

H01F1057

IPC分类号：

H01F4102

代理机构：

上海弼兴律师事务所 31283

代理人：

王卫彬;邹玲

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-20	公开	公开

共 50 条

[1]

一种钕铁硼磁体及其制备方法 [P].

汤志辉 ;

黄佳莹 ;

韦兴 ;

李志刚 ;

许德钦 ;

陈大崑 .

中国专利 :CN115083708B ,2025-12-23

[2]

钕铁硼磁体及其制备方法 [P].

王登兴 ;

杜飞 ;

刘晨晨 ;

魏方允 ;

徐道标 ;

林光明 ;

余强 ;

陶骏 .

中国专利 :CN120636993A ,2025-09-12

[3]

钕铁硼磁体及其制备方法 [P].

杨晓霞 .

中国专利 :CN106920620A ,2017-07-04

[4]

钕铁硼磁体及其制备方法 [P].

王登兴 ;

杜飞 ;

刘晨晨 ;

魏方允 ;

徐道标 ;

林光明 ;

余强 ;

陶骏 .

中国专利 :CN120636993B ,2025-12-09

[5]

钕铁硼磁体及其制备方法 [P].

夏贤爽 ;

陈仁杰 ;

唐旭 ;

都业源 ;

剧锦云 ;

尹文宗 ;

闫阿儒 .

中国专利 :CN114156031A ,2022-03-08

[6]

钕铁硼磁体及其制备方法 [P].

石高阳 ;

郝忠彬 .

中国专利 :CN120221252A ,2025-06-27

[7]

钕铁硼磁体及其制备方法 [P].

杨晓霞 .

中国专利 :CN108364739A ,2018-08-03

[8]

一种钕铁硼磁体及其制备方法 [P].

吴厅兰 .

中国专利 :CN108831650B ,2018-11-16

[9]

一种钕铁硼磁体及其制备方法 [P].

杨志杰 ;

倪建浩 ;

陈永奎 ;

赵虎 ;

王宁 ;

陈鹏 ;

李佳宾 .

中国专利 :CN120149004A ,2025-06-13

[10]

一种钕铁硼磁体及其制备方法 [P].

毛华云 ;

刘路军 .

中国专利 :CN107492430A ,2017-12-19

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