半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110056961.0

申请日：

2006-05-30

公开(公告)号：

CN102163546A

公开(公告)日：

2011-08-24

发明(设计)人：

斋藤利彦

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

G11C502 G11C808 H01L218239 H01L27105 H01L2712

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

管琦琦

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-08-20	授权	授权
2011-08-24	公开	公开
2019-05-21	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20060530 授权公告日:20140820 终止日期:20180530
2011-10-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101116513109 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2011100569610 申请日:20060530

共 50 条

[1]

半导体器件及其制造方法 [P].

斋藤利彦 .

中国专利 :CN1873998A ,2006-12-06

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

安正烈 ;

李闰敬 .

中国专利 :CN102969314A ,2013-03-13

[3]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

肱冈健一郎 ;

久米一平 ;

井上尚也 ;

白井浩树 ;

川原润 ;

林喜宏 .

中国专利 :CN102254916B ,2011-11-23

[4]

半导体器件的制造方法及半导体器件 [P].

冈崎勉 ;

冈田大介 ;

池田良广 ;

塚本惠介 ;

福村达也 ;

宿利章二 ;

原田惠一 ;

岸浩二 .

中国专利 :CN1622311A ,2005-06-01

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

柴田宽 ;

矶部敦生 .

中国专利 :CN1979877B ,2007-06-13

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

中村亘 .

中国专利 :CN101253621A ,2008-08-27

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

菅谷慎二 ;

桥本浩一 ;

鹰尾义弘 .

中国专利 :CN1734769A ,2006-02-15

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

金星寿 ;

李芸燮 .

中国专利 :CN114256181A ,2022-03-29

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

洪锡俊 ;

权烔辉 ;

朴昭贤 ;

李洋熙 .

韩国专利 :CN120152278A ,2025-06-13

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

崔亨福 .

中国专利 :CN100524753C ,2007-02-28

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