半导体器件及其检测方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510662259.7

申请日：

2015-10-14

公开(公告)号：

CN105353000B

公开(公告)日：

2016-02-24

发明(设计)人：

唐佛南吴东平曾瑞雪文宸宇汪澜

申请人：

申请人地址：

518067 广东省深圳市南山区南海大道1019号南山医疗器械产业园B116、B118；B201-B213；A311-313；B411-413；BF08-09；B115；B401-403

IPC主分类号：

G01N2700

IPC分类号：

G01N2722

代理机构：

上海智信专利代理有限公司 31002

代理人：

王洁;郑暄

法律状态：

公开

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

用于待测物离子活度检测的半导体器件及其检测方法 [P].

张世理 ;

吴东平 ;

曾瑞雪 ;

文宸宇 ;

胡潘根 .

中国专利 :CN105301079A ,2016-02-03

[2]

半导体器件检测装置以及半导体器件检测方法 [P].

柳弘俊 ;

尹芸重 .

中国专利 :CN102778642B ,2012-11-14

[3]

半导体器件检测装置以及半导体器件检测方法 [P].

柳弘俊 ;

尹芸重 .

中国专利 :CN102214549A ,2011-10-12

[4]

半导体器件及其故障检测方法 [P].

山口恭平 ;

川上大辅 ;

浜崎博幸 .

中国专利 :CN109840226A ,2019-06-04

[5]

半导体器件及其故障检测方法 [P].

山口恭平 ;

川上大辅 ;

浜崎博幸 .

日本专利 :CN109840226B ,2025-02-28

[6]

半导体器件的电流检测方法和半导体器件 [P].

相马治 ;

上村圣 ;

天田健嗣 .

中国专利 :CN106053929A ,2016-10-26

[7]

半导体电路、半导体器件、断线检测方法 [P].

杉村直昭 .

中国专利 :CN102628910B ,2012-08-08

[8]

半导体器件及其形成方法、检测方法 [P].

吴青山 ;

林宏 ;

李浩业 ;

刘强 .

中国专利 :CN120184037A ,2025-06-20

[9]

半导体器件失效检测方法 [P].

袁锦科 ;

黄彩清 .

中国专利 :CN115684153A ,2023-02-03

[10]

半导体器件的检测方法 [P].

卢志林 ;

吴冰星 ;

陈荣华 ;

陈孝炳 ;

卓依婧 ;

吴道初 .

中国专利 :CN117491832A ,2024-02-02

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-02-24	公开	公开
2016-03-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101651542267 IPC(主分类):G01N 27/00 专利申请号:2015106622597 申请日:20151014
2019-04-19	授权	授权