纳米硅薄膜及其制备工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN00129855.0

申请日：

2000-10-20

公开(公告)号：

CN1290769A

公开(公告)日：

2001-04-11

发明(设计)人：

何宇亮刘明

申请人：

申请人地址：

214031江苏省无锡市五里新村83号201室

IPC主分类号：

C23C1624

IPC分类号：

H01L21205 C30B2502

代理机构：

北京市广友专利事务所

代理人：

张德胜

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2004-06-23	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2001-04-11	公开	公开

共 50 条

[1]

一种纳米硅薄膜的制备工艺 [P].

何宇亮 .

中国专利 :CN1254558C ,2003-11-19

[2]

一种纳米硅薄膜的制备工艺和产品 [P].

刘明 ;

何宇亮 .

中国专利 :CN1349004A ,2002-05-15

[3]

一种纳米硅薄膜的制备方法 [P].

何宇亮 .

中国专利 :CN1032659C ,1993-08-11

[4]

高电子迁移率氢化纳米硅薄膜的制备方法 [P].

沈文忠 ;

陈新义 ;

丁古巧 ;

陈红 ;

何宇亮 .

中国专利 :CN1737997A ,2006-02-22

[5]

一种纳米硅薄膜的制备方法 [P].

刘宏 ;

施毅 .

中国专利 :CN101170061B ,2008-04-30

[6]

纳米孔硅纤维及其制备工艺 [P].

金学范 ;

朴成国 .

中国专利 :CN102277657A ,2011-12-14

[7]

纳米硅薄膜四岛-梁-膜传感器芯片及其制备方法 [P].

丁建宁 ;

沈思国 ;

范真 ;

程广贵 ;

潘海彬 ;

范慧娟 .

中国专利 :CN101922984B ,2010-12-22

[8]

一种纳米硅薄膜阴极及其制作方法 [P].

胡文波 ;

赵晓磊 ;

樊金龙 ;

吴胜利 ;

张劲涛 .

中国专利 :CN104357800B ,2015-02-18

[9]

纳米硅薄膜晶体管液晶显示器的制备方法 [P].

丁建宁 ;

袁宁一 ;

郭立强 ;

程广贵 .

中国专利 :CN101592834B ,2009-12-02

[10]

运用晶格应变制备高电子迁移率氢化纳米硅薄膜的方法 [P].

沈文忠 ;

陈新义 ;

陈红 .

中国专利 :CN1737999A ,2006-02-22

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