一种纳米硅薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710190436.1

申请日：

2007-11-23

公开(公告)号：

CN101170061B

公开(公告)日：

2008-04-30

发明(设计)人：

刘宏施毅

申请人：

申请人地址：

215009 江苏省苏州市苏州高新区苏州科技学院(石湖校区)数理学院

IPC主分类号：

H01L21205

IPC分类号：

代理机构：

苏州创元专利商标事务所有限公司 32103

代理人：

马明渡

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-06-02	授权	授权
2008-04-30	公开	公开
2008-06-25	实质审查的生效	实质审查的生效
2013-07-31	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101643022741 IPC(主分类):H01L 21/205 专利号:ZL2007101904361 变更事项:专利权人变更前权利人:苏州科技学院变更后权利人:南通亮典彩印包装有限公司变更事项:地址变更前权利人:215009 江苏省苏州市苏州高新区苏州科技学院(石湖校区)数理学院变更后权利人:226541 江苏省如皋市九华镇杨码村二十九组(杨码村村委会所属房屋内) 登记生效日:20130710
2018-01-12	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/205 申请日:20071123 授权公告日:20100602 终止日期:20161123

共 50 条

[1]

一种纳米硅薄膜的制备工艺 [P].

何宇亮 .

中国专利 :CN1254558C ,2003-11-19

[2]

一种纳米硅薄膜的制备方法 [P].

何宇亮 .

中国专利 :CN1032659C ,1993-08-11

[3]

一种纳米硅薄膜太阳能电池椭园偏振光谱实时监控制备方法 [P].

张维佳 ;

马强 ;

宋登元 ;

刘嘉 ;

张雷 ;

马晓波 ;

范志强 ;

马登浩 .

中国专利 :CN104393116A ,2015-03-04

[4]

运用晶格应变制备高电子迁移率氢化纳米硅薄膜的方法 [P].

沈文忠 ;

陈新义 ;

陈红 .

中国专利 :CN1737999A ,2006-02-22

[5]

高电子迁移率氢化纳米硅薄膜的制备方法 [P].

沈文忠 ;

陈新义 ;

丁古巧 ;

陈红 ;

何宇亮 .

中国专利 :CN1737997A ,2006-02-22

[6]

锗纳米点/硅纳米线阵列结构薄膜及其制备方法 [P].

叶敏华 ;

施毅 ;

濮林 ;

徐子敬 ;

张荣 ;

郑有炓 .

中国专利 :CN101486439A ,2009-07-22

[7]

一种纳米硅薄膜的制备工艺和产品 [P].

刘明 ;

何宇亮 .

中国专利 :CN1349004A ,2002-05-15

[8]

纳米硅薄膜及其制备工艺 [P].

何宇亮 ;

刘明 .

中国专利 :CN1290769A ,2001-04-11

[9]

半导体光伏器件级纳米硅薄膜的制备方法 [P].

孟凡英 ;

崔容强 ;

徐林 ;

于化丛 ;

林书铨 ;

唐敦乙 ;

周之斌 ;

赵占霞 ;

赵百川 .

中国专利 :CN1697202A ,2005-11-16

[10]

制备纳米硅基发光复合薄膜的方法 [P].

曹则贤 ;

王永谦 ;

马利波 ;

宋蕊 .

中国专利 :CN100369202C ,2005-10-26

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