运用晶格应变制备高电子迁移率氢化纳米硅薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510029498.5

申请日：

2005-09-08

公开(公告)号：

CN1737999A

公开(公告)日：

2006-02-22

发明(设计)人：

沈文忠陈新义陈红

申请人：

申请人地址：

200240上海市闵行区东川路800号

IPC主分类号：

H01L21205

IPC分类号：

C23C1644 C23C1624

代理机构：

上海交达专利事务所

代理人：

王锡麟;王桂忠

法律状态：

授权

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-12-10	授权	授权
2006-04-19	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-02-22	公开	公开
2015-10-28	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101631640914 IPC(主分类):H01L 21/205 专利号:ZL2005100294985 申请日:20050908 授权公告日:20081210 终止日期:20140908

共 50 条

[1]

高电子迁移率氢化纳米硅薄膜的制备方法 [P].

沈文忠 ;

陈新义 ;

丁古巧 ;

陈红 ;

何宇亮 .

中国专利 :CN1737997A ,2006-02-22

[2]

高电子迁移率电晶体及其制备方法 [P].

张翼 ;

林岳钦 ;

杨贺宇 ;

曾皓 .

中国专利 :CN119545830A ,2025-02-28

[3]

形成高电子迁移率半导体器件的方法 [P].

A·萨利赫 ;

小J·M·帕西 .

中国专利 :CN104051236A ,2014-09-17

[4]

高电子迁移率晶体管及用于制造高电子迁移率晶体管的方法 [P].

张坤好 ;

N·乔杜里 .

中国专利 :CN111727507A ,2020-09-29

[5]

一种高电子迁移率氧化铟透明薄膜的制备方法 [P].

吴惠桢 ;

朱夏明 ;

原子健 .

中国专利 :CN101514440B ,2009-08-26

[6]

高电子迁移率半导体器件及其制备方法 [P].

姚金才 ;

朱超群 ;

陈宇 .

中国专利 :CN107731889A ,2018-02-23

[7]

具有高电子迁移率异质结的电子元件 [P].

埃尔文·莫尔万 .

中国专利 :CN110168737B ,2019-08-23

[8]

一种纳米硅薄膜的制备方法 [P].

刘宏 ;

施毅 .

中国专利 :CN101170061B ,2008-04-30

[9]

高电子迁移率晶体管的制造方法和高电子迁移率晶体管 [P].

山村拓嗣 ;

西口贤弥 ;

住吉和英 .

日本专利 :CN112614783B ,2025-09-05

[10]

高电子迁移率晶体管的制造方法和高电子迁移率晶体管 [P].

山村拓嗣 ;

西口贤弥 ;

住吉和英 .

中国专利 :CN112614783A ,2021-04-06

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