高密度电子封装及其制造方法

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专利类型
发明
申请号
CN00807754.1
申请日
2000-05-11
公开(公告)号
CN1352804A
公开(公告)日
2002-06-05
发明(设计)人
凯文·K·T·钟
申请人
申请人地址
美国新泽西州
IPC主分类号
H01L2302
IPC分类号
H01R900 H05K702
代理机构
北京市柳沈律师事务所
代理人
魏晓刚;李晓舒
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
高密度芯片尺寸封装及其制造方法 [P]. 
郑永熙 .
中国专利 :CN1577815A ,2005-02-09
[2]
一种高密度封装及其制造方法 [P]. 
田仁宝 ;
周玉刚 ;
张荣 .
中国专利 :CN106816417A ,2017-06-09
[3]
具有高密度互连层的电子封装件 [P]. 
小弗朗西斯·J·唐斯 ;
唐纳德·S·法夸尔 ;
伊丽莎白·福斯特 ;
罗伯特·M·雅皮 ;
杰拉尔德·W·琼斯 ;
约翰·S·克雷斯吉 ;
罗伯特·D·塞贝斯塔 ;
戴维·B·斯通 ;
詹姆斯·R·威尔科克斯 .
中国专利 :CN1304174A ,2001-07-18
[4]
一种高密度功率模块及其封装方法 [P]. 
陈为平 ;
陈为亮 .
中国专利 :CN120813030A ,2025-10-17
[5]
高密度电子连接器及其组装方法 [P]. 
洪忆晴 ;
徐佥昱 ;
姜成巨 .
中国专利 :CN101154772B ,2008-04-02
[6]
高密度柱阵列 [P]. 
萨拉·E·黑默尔 ;
居伊·M·卡尔曼 .
中国专利 :CN112437796A ,2021-03-02
[7]
高密度功率模块 [P]. 
B·布兰查德圣-雅克 ;
F·杜贝 ;
M-A·比由普勒 .
中国专利 :CN114337318A ,2022-04-12
[8]
高密度安装模块 [P]. 
大河原一彦 ;
大井川升 ;
东海林悟 .
日本专利 :CN112055461B ,2024-05-31
[9]
高密度安装模块 [P]. 
大河原一彦 ;
大井川升 ;
东海林悟 .
中国专利 :CN112055461A ,2020-12-08
[10]
电气器件的高密度结合 [P]. 
K·凯恩 ;
D·N·爱德华兹 ;
J·芒恩 ;
R·梅赫比 ;
I·J·福斯特 ;
T·C·维克雷 .
中国专利 :CN1985351A ,2007-06-20