基于二噻吩并吡啶酮共聚物的半导体材料

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201280018847.1

申请日：

2012-04-16

公开(公告)号：

CN103517936A

公开(公告)日：

2014-01-15

发明(设计)人：

A·K·米什拉 S·瓦伊迪耶纳森野口博义 F·德兹 Y·管

申请人：

申请人地址：

德国路德维希港

IPC主分类号：

C08G6112

IPC分类号：

H01L5100 H01L5105 H01L5142

代理机构：

北京市中咨律师事务所 11247

代理人：

肖威;刘金辉

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-02-19	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101571928662 IPC(主分类):C08G 61/12 专利申请号:2012800188471 申请日:20120416
2014-01-15	公开	公开
2016-03-16	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101729176533 IPC(主分类):C08G 61/12 专利申请号:2012800188471 申请公布日:20140115

共 50 条

[1]

基于二酮基哌啶并哌啶共聚物的半导体材料 [P].

A·K·米什拉 ;

S·瓦伊迪耶纳森 ;

野口博义 ;

F·德兹 ;

Y·关 .

中国专利 :CN103492452B ,2014-01-01

[2]

噻吩并吡咯二酮基共聚物有机半导体材料及其制备方法和应用 [P].

周明杰 ;

王平 ;

张振华 ;

陈吉星 .

中国专利 :CN103159917A ,2013-06-19

[3]

基于噻吩并噻吩-2,5-二酮低聚物和聚合物的半导体材料 [P].

A·K·米什拉 ;

S·瓦伊迪耶纳森 ;

野口博义 ;

F·德兹 ;

B·朱 .

中国专利 :CN103492451A ,2014-01-01

[4]

由二噻吩基亚乙烯基共聚物制备的半导体材料 [P].

A·K·米什拉 ;

S·瓦伊迪耶纳森 ;

H·诺古基 ;

F·德兹 ;

S·克勒 ;

M·卡斯特勒 .

中国专利 :CN102317345B ,2012-01-11

[5]

由桥接二噻唑共聚物制备的半导体材料 [P].

A·K·米什拉 ;

S·瓦伊迪耶纳森 ;

野口博义 ;

F·德兹 ;

B·朱 ;

J·S·巴苏基 .

中国专利 :CN103052643A ,2013-04-17

[6]

稠合的二噻吩共聚物 [P].

M·迪格利 ;

R·里格尔 ;

K·米伦 ;

N·舍博塔莱瓦 ;

D·贝克曼 .

中国专利 :CN102834945A ,2012-12-19

[7]

二噻吩并苯并噻吩并[3,2-b]噻吩共聚物及其作为高性能可溶液加工半导体聚合物的用途 [P].

M·卡斯特勒 ;

S·A·克勒 ;

K·米伦 ;

R·里格尔 .

中国专利 :CN102639591B ,2012-08-15

[8]

噻吩并吡咯二酮基共聚物材料及其制备方法和应用 [P].

周明杰 ;

王平 ;

张振华 ;

黄辉 .

中国专利 :CN103159927A ,2013-06-19

[9]

含噻吩并吡咯二酮单元的苯并二噻吩类共聚物及其制备方法与应用 [P].

周明杰 ;

管榕 ;

李满园 ;

黄佳乐 ;

黎乃元 .

中国专利 :CN104769005B ,2015-07-08

[10]

亚甲基二氢吡嗪与稠合噻吩的半导体共聚物 [P].

贺明谦 ;

J·R·马修斯 ;

钮渭钧 ;

A·坦迪亚 ;

A·L·华莱士 .

中国专利 :CN112638918A ,2021-04-09

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