基于噻吩并噻吩-2,5-二酮低聚物和聚合物的半导体材料

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201280018846.7

申请日：

2012-04-17

公开(公告)号：

CN103492451A

公开(公告)日：

2014-01-01

发明(设计)人：

A·K·米什拉 S·瓦伊迪耶纳森野口博义 F·德兹 B·朱

申请人：

申请人地址：

德国路德维希港

IPC主分类号：

C08G6112

IPC分类号：

代理机构：

北京市中咨律师事务所 11247

代理人：

肖威;刘金辉

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-01-01	公开	公开
2016-02-03	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101727333513 IPC(主分类):C08G 61/12 专利申请号:2012800188467 申请公布日:20140101
2014-02-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101567134940 IPC(主分类):C08G 61/12 专利申请号:2012800188467 申请日:20120417

共 50 条

[1]

基于二噻吩并吡啶酮共聚物的半导体材料 [P].

A·K·米什拉 ;

S·瓦伊迪耶纳森 ;

野口博义 ;

F·德兹 ;

Y·管 .

中国专利 :CN103517936A ,2014-01-15

[2]

噻吩并(3,4－D)噻唑的单体、低聚物和聚合物 [P].

W·达菲 ;

M·希尼 ;

I·麦卡洛克 .

中国专利 :CN101193899A ,2008-06-04

[3]

基于苯并二噻吩和苯并三噻吩的半导体共轭聚合物及其制备方法 [P].

张国兵 ;

李朋 ;

肖旭 ;

马敬轩 ;

吕国强 .

中国专利 :CN103172837A ,2013-06-26

[4]

包括噻吩和硒吩的单体、低聚物和聚合物 [P].

马丁·希尼 ;

史蒂文·蒂尔尼 ;

瓦伦·达菲 ;

拉因·麦卡洛克 .

中国专利 :CN101160338A ,2008-04-09

[5]

含二噻吩并噻吩和噻吩吡咯二酮单元有机半导体材料及其制备方法和应用 [P].

周明杰 ;

黄杰 ;

刘辉 .

中国专利 :CN102417585A ,2012-04-18

[6]

取代噻吩并噻吩单体和导电聚合物 [P].

A·F·诺德奎斯特 ;

W·F·小布戈内 ;

S·扎恩 ;

F·J·瓦勒 .

中国专利 :CN1760196A ,2006-04-19

[7]

吡啶并噻吩基吡咯并吡咯二酮及其聚合物 [P].

于贵 ;

高冬 ;

陈智慧 ;

张卫锋 .

中国专利 :CN106632410B ,2017-05-10

[8]

半导体稠合噻吩聚合物油墨制剂 [P].

贺明谦 ;

J·R·马修斯 .

中国专利 :CN104703685B ,2015-06-10

[9]

苯并二噻吩的聚合物及其作为有机半导体的用途 [P].

S·提尔奈 ;

N·布鲁因 ;

W·密特彻 ;

王常胜 ;

M·卡拉斯克-欧罗兹克 ;

F·E·梅耶 .

中国专利 :CN102844312B ,2012-12-26

[10]

二噻吩并邻苯二甲酰亚胺半导体聚合物 [P].

野口博义 ;

F·德兹 ;

A·K·米什拉 ;

S·瓦伊迪耶纳森 ;

M·明-蒂恩 .

中国专利 :CN103635505A ,2014-03-12

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