包括噻吩和硒吩的单体、低聚物和聚合物

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200680007850.8

申请日：

2006-02-23

公开(公告)号：

CN101160338A

公开(公告)日：

2008-04-09

发明(设计)人：

马丁·希尼史蒂文·蒂尔尼瓦伦·达菲拉因·麦卡洛克

申请人：

申请人地址：

德国达姆施塔特

IPC主分类号：

C08G6112

IPC分类号：

C09K1940 C09K1938 H01B112 C07D42114

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

郭国清;樊卫民

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-04-10	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101433924989 IPC(主分类):C08G 61/12 专利号:ZL2006800078508 申请日:20060223 授权公告日:20111005 终止日期:20120223
2008-04-09	公开	公开
2008-06-04	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-10-05	授权	授权

共 50 条

[1]

噻吩并(3,4－D)噻唑的单体、低聚物和聚合物 [P].

W·达菲 ;

M·希尼 ;

I·麦卡洛克 .

中国专利 :CN101193899A ,2008-06-04

[2]

低聚物和聚合物 [P].

保罗·瓦利亚塞 ;

卡尔·汤斯 .

中国专利 :CN100558791C ,2007-01-31

[3]

含磷低聚物和聚合物 [P].

S.加安 ;

R.胡芬努斯 ;

R.纳齐尔 ;

P.西莫内蒂 ;

K.萨尔梅亚 ;

D.帕里达 ;

A.古奈 .

中国专利 :CN112399981B ,2021-02-23

[4]

基于噻吩并噻吩-2,5-二酮低聚物和聚合物的半导体材料 [P].

A·K·米什拉 ;

S·瓦伊迪耶纳森 ;

野口博义 ;

F·德兹 ;

B·朱 .

中国专利 :CN103492451A ,2014-01-01

[5]

由聚合物生产单体和/或低聚物的方法 [P].

M·利文 ;

N·海因茨 ;

J·兰干克 ;

T·海涅曼 ;

T·米哈伊洛夫 ;

K·兰默霍德 ;

N·戴布尔 ;

T·纳尔班托格鲁 .

德国专利 :CN117616077A ,2024-02-27

[6]

噻吩并-茚并-单体和聚合物 [P].

陈虎 ;

W·张 ;

M·胡尔汉吉 ;

I·麦卡洛克 ;

P·哈约兹 ;

D·克尔布莱因 .

中国专利 :CN110582502A ,2019-12-17

[7]

包含稠合硒吩的聚合物 [P].

M·希尼 ;

张卫民 ;

S·蒂尔尼 ;

I·麦克洛奇 .

中国专利 :CN101563389B ,2009-10-21

[8]

取代噻吩并噻吩单体和导电聚合物 [P].

A·F·诺德奎斯特 ;

W·F·小布戈内 ;

S·扎恩 ;

F·J·瓦勒 .

中国专利 :CN1760196A ,2006-04-19

[9]

从聚合物材料中回收单体和低聚物组成部分 [P].

U·U·乔杜里 .

美国专利 :CN117545799A ,2024-02-09

[10]

聚合物、单体和形成聚合物的方法 [P].

M·J·哈夫里斯 ;

F·布尔塞 ;

S·祖布里 .

中国专利 :CN103748132B ,2014-04-23

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