一种选择区域外延的图形化掩膜制备及二次生长界面优化方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201711035525.9
申请日
2017-10-30
公开(公告)号
CN107706100A
公开(公告)日
2018-02-16
发明(设计)人
刘扬 黄燕芬
申请人
申请人地址
510275 广东省广州市新港西路135号
IPC主分类号
H01L2128
IPC分类号
H01L29423
代理机构
广州粤高专利商标代理有限公司 44102
代理人
陈伟斌
法律状态
公开
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
一种选择区域外延的图形化掩膜制备及二次生长界面优化结构 [P]. 
刘扬 ;
黄燕芬 .
中国专利 :CN207753014U ,2018-08-21
[2]
一种选择区域外延生长界面改善方法 [P]. 
刘扬 ;
李柳暗 ;
杨帆 .
中国专利 :CN106024588A ,2016-10-12
[3]
一种选择区域外延生长界面改善结构 [P]. 
刘扬 ;
李柳暗 ;
杨帆 .
中国专利 :CN206134690U ,2017-04-26
[4]
一种选择区域外延生长界面保护方法 [P]. 
刘扬 ;
周德秋 ;
杨帆 ;
倪毅强 .
中国专利 :CN104018215A ,2014-09-03
[5]
一种微盘阵列掩膜图形化衬底及制备方法 [P]. 
李睿 .
中国专利 :CN117558614A ,2024-02-13
[6]
一种多重图形化掩膜的制备方法 [P]. 
鲍宇 ;
周海锋 ;
方精训 .
中国专利 :CN105304475A ,2016-02-03
[7]
一种图形化衬底的二次利用方法 [P]. 
李佩文 ;
肖兆威 ;
卢建航 .
中国专利 :CN116072776B ,2025-08-15
[8]
一种图形化复合衬底、制备方法及LED外延片 [P]. 
谢鹏程 ;
陆前军 ;
张剑桥 ;
陈薪安 ;
张鹏辉 ;
康凯 .
中国专利 :CN113921662A ,2022-01-11
[9]
一种图形化复合衬底、制备方法及LED外延片 [P]. 
谢鹏程 ;
陆前军 ;
张剑桥 ;
陈薪安 ;
张鹏辉 ;
康凯 .
中国专利 :CN113921662B ,2024-03-12
[10]
一种用于生长厚膜GaN材料的图形化模板的制备方法 [P]. 
于广辉 ;
师小萍 ;
王斌 .
中国专利 :CN102347214A ,2012-02-08