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一种选择区域外延的图形化掩膜制备及二次生长界面优化方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201711035525.9
申请日
:
2017-10-30
公开(公告)号
:
CN107706100A
公开(公告)日
:
2018-02-16
发明(设计)人
:
刘扬
黄燕芬
申请人
:
申请人地址
:
510275 广东省广州市新港西路135号
IPC主分类号
:
H01L2128
IPC分类号
:
H01L29423
代理机构
:
广州粤高专利商标代理有限公司 44102
代理人
:
陈伟斌
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2018-02-16
公开
公开
2018-03-16
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20171030
共 50 条
[1]
一种选择区域外延的图形化掩膜制备及二次生长界面优化结构
[P].
刘扬
论文数:
0
引用数:
0
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0
刘扬
;
黄燕芬
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0
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黄燕芬
.
中国专利
:CN207753014U
,2018-08-21
[2]
一种选择区域外延生长界面改善方法
[P].
刘扬
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刘扬
;
李柳暗
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李柳暗
;
杨帆
论文数:
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杨帆
.
中国专利
:CN106024588A
,2016-10-12
[3]
一种选择区域外延生长界面改善结构
[P].
刘扬
论文数:
0
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0
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刘扬
;
李柳暗
论文数:
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李柳暗
;
杨帆
论文数:
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0
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0
杨帆
.
中国专利
:CN206134690U
,2017-04-26
[4]
一种选择区域外延生长界面保护方法
[P].
刘扬
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0
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0
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刘扬
;
周德秋
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周德秋
;
杨帆
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0
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杨帆
;
倪毅强
论文数:
0
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倪毅强
.
中国专利
:CN104018215A
,2014-09-03
[5]
一种微盘阵列掩膜图形化衬底及制备方法
[P].
李睿
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0
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0
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0
机构:
李睿
李睿
李睿
.
中国专利
:CN117558614A
,2024-02-13
[6]
一种多重图形化掩膜的制备方法
[P].
鲍宇
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0
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鲍宇
;
周海锋
论文数:
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周海锋
;
方精训
论文数:
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方精训
.
中国专利
:CN105304475A
,2016-02-03
[7]
一种图形化衬底的二次利用方法
[P].
李佩文
论文数:
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0
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机构:
广东中图半导体科技股份有限公司
广东中图半导体科技股份有限公司
李佩文
;
肖兆威
论文数:
0
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机构:
广东中图半导体科技股份有限公司
广东中图半导体科技股份有限公司
肖兆威
;
卢建航
论文数:
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机构:
广东中图半导体科技股份有限公司
广东中图半导体科技股份有限公司
卢建航
.
中国专利
:CN116072776B
,2025-08-15
[8]
一种图形化复合衬底、制备方法及LED外延片
[P].
谢鹏程
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0
谢鹏程
;
陆前军
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陆前军
;
张剑桥
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张剑桥
;
陈薪安
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陈薪安
;
张鹏辉
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0
张鹏辉
;
康凯
论文数:
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0
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康凯
.
中国专利
:CN113921662A
,2022-01-11
[9]
一种图形化复合衬底、制备方法及LED外延片
[P].
谢鹏程
论文数:
0
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机构:
广东中图半导体科技股份有限公司
广东中图半导体科技股份有限公司
谢鹏程
;
陆前军
论文数:
0
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机构:
广东中图半导体科技股份有限公司
广东中图半导体科技股份有限公司
陆前军
;
张剑桥
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机构:
广东中图半导体科技股份有限公司
广东中图半导体科技股份有限公司
张剑桥
;
陈薪安
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0
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机构:
广东中图半导体科技股份有限公司
广东中图半导体科技股份有限公司
陈薪安
;
张鹏辉
论文数:
0
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机构:
广东中图半导体科技股份有限公司
广东中图半导体科技股份有限公司
张鹏辉
;
康凯
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机构:
广东中图半导体科技股份有限公司
广东中图半导体科技股份有限公司
康凯
.
中国专利
:CN113921662B
,2024-03-12
[10]
一种用于生长厚膜GaN材料的图形化模板的制备方法
[P].
于广辉
论文数:
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于广辉
;
师小萍
论文数:
0
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师小萍
;
王斌
论文数:
0
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王斌
.
中国专利
:CN102347214A
,2012-02-08
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