一种选择区域外延生长界面改善结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201620765231.6

申请日：

2016-07-20

公开(公告)号：

CN206134690U

公开(公告)日：

2017-04-26

发明(设计)人：

刘扬李柳暗杨帆

申请人：

申请人地址：

510275 广东省广州市新港西路135号

IPC主分类号：

H01L2920

IPC分类号：

代理机构：

广州粤高专利商标代理有限公司 44102

代理人：

陈卫

法律状态：

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国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-04-26	授权	授权

共 50 条

[1]

一种选择区域外延生长界面改善方法 [P].

刘扬 ;

李柳暗 ;

杨帆 .

中国专利 :CN106024588A ,2016-10-12

[2]

一种选择区域外延生长界面保护方法 [P].

刘扬 ;

周德秋 ;

杨帆 ;

倪毅强 .

中国专利 :CN104018215A ,2014-09-03

[3]

一种选择区域外延的图形化掩膜制备及二次生长界面优化方法 [P].

刘扬 ;

黄燕芬 .

中国专利 :CN107706100A ,2018-02-16

[4]

一种选择区域外延的图形化掩膜制备及二次生长界面优化结构 [P].

刘扬 ;

黄燕芬 .

中国专利 :CN207753014U ,2018-08-21

[5]

选择区域外延生长叠层电吸收调制激光器结构的制作方法 [P].

朱洪亮 ;

李宝霞 ;

张靖 ;

王圩 .

中国专利 :CN100384038C ,2006-03-22

[6]

改善PMOS区域外延层结构均一性的方法 [P].

宗怡 .

中国专利 :CN119947230A ,2025-05-06

[7]

利用选择区域外延技术制作激光器阵列的方法 [P].

梁松 ;

朱洪亮 .

中国专利 :CN104242059A ,2014-12-24

[8]

一种选区外延高质量的AlGaN/GaN生长结构 [P].

刘扬 ;

张佳琳 ;

杨帆 ;

何亮 .

中国专利 :CN206301802U ,2017-07-04

[9]

利用选择区域外延技术制作分布反馈激光器阵列的方法 [P].

梁松 ;

张灿 ;

朱洪亮 ;

王圩 .

中国专利 :CN102820616B ,2012-12-12

[10]

选择区域外延自脉动DFB激光器的制作方法 [P].

张灿 ;

朱洪亮 ;

梁松 ;

马丽 .

中国专利 :CN102496853B ,2012-06-13

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