选择区域外延生长叠层电吸收调制激光器结构的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510004571.3

申请日：

2005-01-18

公开(公告)号：

CN100384038C

公开(公告)日：

2006-03-22

发明(设计)人：

朱洪亮李宝霞张靖王圩

申请人：

申请人地址：

100083北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01S500

IPC分类号：

H01S5026 H01S534

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

汤保平

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-03-22	公开	公开
2008-04-23	授权	授权
2006-05-17	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-03-17	专利权的终止(未缴年费专利权终止)	专利权的终止(未缴年费专利权终止)

共 50 条

[1]

选择区域外延叠层行波电吸收调制激光器的制作方法 [P].

王桓 ;

朱洪亮 ;

潘教青 ;

程远兵 .

中国专利 :CN101471541A ,2009-07-01

[2]

选择区域外延制作电吸收调制分布反馈激光器的方法 [P].

刘国利 ;

王圩 ;

陈娓兮 ;

朱洪亮 .

中国专利 :CN1332501A ,2002-01-23

[3]

选择区域外延自脉动DFB激光器的制作方法 [P].

张灿 ;

朱洪亮 ;

梁松 ;

马丽 .

中国专利 :CN102496853B ,2012-06-13

[4]

利用选择区域外延技术制作激光器阵列的方法 [P].

梁松 ;

朱洪亮 .

中国专利 :CN104242059A ,2014-12-24

[5]

电吸收调制激光器的制作方法 [P].

周代兵 ;

梁松 ;

赵玲娟 ;

王圩 .

中国专利 :CN112670823A ,2021-04-16

[6]

电吸收调制激光器及其制作方法 [P].

梁松 ;

剌晓波 .

中国专利 :CN112072461A ,2020-12-11

[7]

电吸收调制激光器的整片结构及其制作测试方法 [P].

黄永光 ;

张瑞康 ;

王宝军 ;

朱洪亮 .

中国专利 :CN108242763A ,2018-07-03

[8]

利用选择区域外延技术制作分布反馈激光器阵列的方法 [P].

梁松 ;

张灿 ;

朱洪亮 ;

王圩 .

中国专利 :CN102820616B ,2012-12-12

[9]

电吸收调制激光器及其制作方法、通信设备 [P].

李玮淳 ;

邓秋芳 .

中国专利 :CN115706389A ,2023-02-17

[10]

选择性生长的高速电吸收调制激光器芯片及其制备方法 [P].

杨重英 ;

苏辉 .

中国专利 :CN119834058A ,2025-04-15

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