选择区域外延制作电吸收调制分布反馈激光器的方法

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专利类型
发明
申请号
CN00109780.6
申请日
2000-07-06
公开(公告)号
CN1332501A
公开(公告)日
2002-01-23
发明(设计)人
刘国利 王圩 陈娓兮 朱洪亮
申请人
申请人地址
100083北京市912信箱
IPC主分类号
H01S500
IPC分类号
代理机构
中科专利商标代理有限责任公司
代理人
汤保平
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
选择区域外延叠层行波电吸收调制激光器的制作方法 [P]. 
王桓 ;
朱洪亮 ;
潘教青 ;
程远兵 .
中国专利 :CN101471541A ,2009-07-01
[2]
选择区域外延生长叠层电吸收调制激光器结构的制作方法 [P]. 
朱洪亮 ;
李宝霞 ;
张靖 ;
王圩 .
中国专利 :CN100384038C ,2006-03-22
[3]
利用选择区域外延技术制作分布反馈激光器阵列的方法 [P]. 
梁松 ;
张灿 ;
朱洪亮 ;
王圩 .
中国专利 :CN102820616B ,2012-12-12
[4]
波长可调谐电吸收调制分布反馈激光器和制作方法 [P]. 
刘国利 ;
王圩 ;
张静媛 .
中国专利 :CN1366367A ,2002-08-28
[5]
选择区域外延自脉动DFB激光器的制作方法 [P]. 
张灿 ;
朱洪亮 ;
梁松 ;
马丽 .
中国专利 :CN102496853B ,2012-06-13
[6]
电吸收调制隧穿注入式分布反馈半导体激光器的制作方法 [P]. 
汪洋 ;
赵玲娟 ;
朱洪亮 ;
王圩 .
中国专利 :CN102055133B ,2011-05-11
[7]
利用选择区域外延技术制作激光器阵列的方法 [P]. 
梁松 ;
朱洪亮 .
中国专利 :CN104242059A ,2014-12-24
[8]
混合波导结构电吸收调制分布反馈激光器和制作方法 [P]. 
刘国利 ;
王圩 ;
朱洪亮 .
中国专利 :CN1426138A ,2003-06-25
[9]
电吸收调制分布反馈半导体激光器件的制作方法 [P]. 
胡小华 ;
李宝霞 ;
朱洪亮 ;
王圩 .
中国专利 :CN1630149A ,2005-06-22
[10]
电吸收调制激光器的制作方法 [P]. 
周代兵 ;
梁松 ;
赵玲娟 ;
王圩 .
中国专利 :CN112670823A ,2021-04-16