选择区域外延自脉动DFB激光器的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110415079.0

申请日：

2011-12-13

公开(公告)号：

CN102496853B

公开(公告)日：

2012-06-13

发明(设计)人：

张灿朱洪亮梁松马丽

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01S512

IPC分类号：

H01S522 H01S5343

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

汤保平

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-02-06	授权	授权
2012-07-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101298911137 IPC(主分类):H01S 5/12 专利申请号:2011104150790 申请日:20111213
2012-06-13	公开	公开

共 50 条

[1]

选择区域外延叠层行波电吸收调制激光器的制作方法 [P].

王桓 ;

朱洪亮 ;

潘教青 ;

程远兵 .

中国专利 :CN101471541A ,2009-07-01

[2]

利用选择区域外延技术制作激光器阵列的方法 [P].

梁松 ;

朱洪亮 .

中国专利 :CN104242059A ,2014-12-24

[3]

选择区域外延生长叠层电吸收调制激光器结构的制作方法 [P].

朱洪亮 ;

李宝霞 ;

张靖 ;

王圩 .

中国专利 :CN100384038C ,2006-03-22

[4]

选择区域外延制作电吸收调制分布反馈激光器的方法 [P].

刘国利 ;

王圩 ;

陈娓兮 ;

朱洪亮 .

中国专利 :CN1332501A ,2002-01-23

[5]

利用选择区域外延技术制作分布反馈激光器阵列的方法 [P].

梁松 ;

张灿 ;

朱洪亮 ;

王圩 .

中国专利 :CN102820616B ,2012-12-12

[6]

一种DFB激光器光栅结构及其制作方法和DFB激光器芯片 [P].

林泽磊 ;

王俊杰 ;

林俊杰 ;

许杨灵 ;

陈东旭 ;

张雷 .

中国专利 :CN117954961A ,2024-04-30

[7]

基于全量子阱选择区域外延的半导体锁模激光器制作方法 [P].

许俊杰 ;

梁松 ;

朱洪亮 .

中国专利 :CN106058639A ,2016-10-26

[8]

一种高速DFB激光器的制作方法 [P].

张恩 ;

刘建军 ;

许海明 ;

李紫谦 ;

黄鹤 .

中国专利 :CN112366520B ,2021-02-12

[9]

二维光栅双波长DFB激光器的制作方法 [P].

韩良顺 ;

梁松 ;

许俊杰 ;

乔丽君 ;

朱洪亮 .

中国专利 :CN104917050B ,2015-09-16

[10]

单片集成钛薄膜热电阻可调谐DFB激光器的制作方法 [P].

张灿 ;

梁松 ;

朱洪亮 .

中国专利 :CN103094832B ,2013-05-08

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