基于全量子阱选择区域外延的半导体锁模激光器制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610443677.1

申请日：

2016-06-20

公开(公告)号：

CN106058639A

公开(公告)日：

2016-10-26

发明(设计)人：

许俊杰梁松朱洪亮

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01S5065

IPC分类号：

H01S5343

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

钟文芳

法律状态：

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国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-01-18	授权	授权
2016-11-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101688760559 IPC(主分类):H01S 5/065 专利申请号:2016104436771 申请日:20160620
2016-10-26	公开	公开

共 50 条

[1]

选择区域外延自脉动DFB激光器的制作方法 [P].

张灿 ;

朱洪亮 ;

梁松 ;

马丽 .

中国专利 :CN102496853B ,2012-06-13

[2]

利用选择区域外延技术制作激光器阵列的方法 [P].

梁松 ;

朱洪亮 .

中国专利 :CN104242059A ,2014-12-24

[3]

一种量子阱半导体激光外延结构及量子阱激光器 [P].

仇伯仓 ;

胡海 .

中国专利 :CN105429002A ,2016-03-23

[4]

选择外延生长应变测量方法及量子阱激光器制作方法及量子阱激光器 [P].

陈志标 .

中国专利 :CN110854679A ,2020-02-28

[5]

基于量子点-量子阱混合结构的锁模半导体激光器 [P].

苏辉 .

中国专利 :CN102593720A ,2012-07-18

[6]

选择区域外延叠层行波电吸收调制激光器的制作方法 [P].

王桓 ;

朱洪亮 ;

潘教青 ;

程远兵 .

中国专利 :CN101471541A ,2009-07-01

[7]

选择区域外延制作电吸收调制分布反馈激光器的方法 [P].

刘国利 ;

王圩 ;

陈娓兮 ;

朱洪亮 .

中国专利 :CN1332501A ,2002-01-23

[8]

利用选择区域外延技术制作分布反馈激光器阵列的方法 [P].

梁松 ;

张灿 ;

朱洪亮 ;

王圩 .

中国专利 :CN102820616B ,2012-12-12

[9]

选择区域外延生长叠层电吸收调制激光器结构的制作方法 [P].

朱洪亮 ;

李宝霞 ;

张靖 ;

王圩 .

中国专利 :CN100384038C ,2006-03-22

[10]

半导体锁模激光器及其制备方法 [P].

杨秋露 ;

陆丹 ;

孙德藩 ;

张瑞康 ;

赵玲娟 .

中国专利 :CN115102033B ,2024-08-30

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