利用选择区域外延技术制作激光器阵列的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410510052.3

申请日：

2014-09-28

公开(公告)号：

CN104242059A

公开(公告)日：

2014-12-24

发明(设计)人：

梁松朱洪亮

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01S540

IPC分类号：

H01S530

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

任岩

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-12-24	公开	公开
2015-01-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101595667250 IPC(主分类):H01S 5/40 专利申请号:2014105100523 申请日:20140928
2018-01-09	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01S 5/40 申请公布日:20141224

共 50 条

[1]

利用选择区域外延技术制作分布反馈激光器阵列的方法 [P].

梁松 ;

张灿 ;

朱洪亮 ;

王圩 .

中国专利 :CN102820616B ,2012-12-12

[2]

选择区域外延自脉动DFB激光器的制作方法 [P].

张灿 ;

朱洪亮 ;

梁松 ;

马丽 .

中国专利 :CN102496853B ,2012-06-13

[3]

选择区域外延生长叠层电吸收调制激光器结构的制作方法 [P].

朱洪亮 ;

李宝霞 ;

张靖 ;

王圩 .

中国专利 :CN100384038C ,2006-03-22

[4]

选择区域外延制作电吸收调制分布反馈激光器的方法 [P].

刘国利 ;

王圩 ;

陈娓兮 ;

朱洪亮 .

中国专利 :CN1332501A ,2002-01-23

[5]

选择区域外延叠层行波电吸收调制激光器的制作方法 [P].

王桓 ;

朱洪亮 ;

潘教青 ;

程远兵 .

中国专利 :CN101471541A ,2009-07-01

[6]

基于全量子阱选择区域外延的半导体锁模激光器制作方法 [P].

许俊杰 ;

梁松 ;

朱洪亮 .

中国专利 :CN106058639A ,2016-10-26

[7]

利用凹区作选择区域外延制作平面型集成有源波导的方法 [P].

朱洪亮 ;

侯康平 ;

杨华 ;

梁松 ;

王圩 .

中国专利 :CN100538412C ,2007-08-29

[8]

一种选择区域外延生长界面保护方法 [P].

刘扬 ;

周德秋 ;

杨帆 ;

倪毅强 .

中国专利 :CN104018215A ,2014-09-03

[9]

一种选择区域外延生长界面改善方法 [P].

刘扬 ;

李柳暗 ;

杨帆 .

中国专利 :CN106024588A ,2016-10-12

[10]

一种利用选区外延技术制作半导体激光器的方法 [P].

陈哲茜 ;

王冰 ;

蔡鑫伦 ;

余思远 .

中国专利 :CN118336515A ,2024-07-12

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