利用凹区作选择区域外延制作平面型集成有源波导的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610007846.3

申请日：

2006-02-21

公开(公告)号：

CN100538412C

公开(公告)日：

2007-08-29

发明(设计)人：

朱洪亮侯康平杨华梁松王圩

申请人：

申请人地址：

100083北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

G02B612

IPC分类号：

G02B613

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

汤保平

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-10-24	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-09-09	授权	授权
2007-08-29	公开	公开
2019-02-15	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G02B 6/12 申请日:20060221 授权公告日:20090909 终止日期:20180221

共 9 条

[1]

利用选择区域外延技术制作激光器阵列的方法 [P].

梁松 ;

朱洪亮 .

中国专利 :CN104242059A ,2014-12-24

[2]

利用选择区域外延技术制作分布反馈激光器阵列的方法 [P].

梁松 ;

张灿 ;

朱洪亮 ;

王圩 .

中国专利 :CN102820616B ,2012-12-12

[3]

选择区域外延自脉动DFB激光器的制作方法 [P].

张灿 ;

朱洪亮 ;

梁松 ;

马丽 .

中国专利 :CN102496853B ,2012-06-13

[4]

选择区域外延叠层行波电吸收调制激光器的制作方法 [P].

王桓 ;

朱洪亮 ;

潘教青 ;

程远兵 .

中国专利 :CN101471541A ,2009-07-01

[5]

选择区域外延制作电吸收调制分布反馈激光器的方法 [P].

刘国利 ;

王圩 ;

陈娓兮 ;

朱洪亮 .

中国专利 :CN1332501A ,2002-01-23

[6]

选择区域外延生长叠层电吸收调制激光器结构的制作方法 [P].

朱洪亮 ;

李宝霞 ;

张靖 ;

王圩 .

中国专利 :CN100384038C ,2006-03-22

[7]

基于全量子阱选择区域外延的半导体锁模激光器制作方法 [P].

许俊杰 ;

梁松 ;

朱洪亮 .

中国专利 :CN106058639A ,2016-10-26

[8]

一种选择区域外延的图形化掩膜制备及二次生长界面优化方法 [P].

刘扬 ;

黄燕芬 .

中国专利 :CN107706100A ,2018-02-16

[9]

波导锗探测器制作工艺中选择性锗外延的前处理方法 [P].

郭安然 ;

郭培 ;

雷仁方 ;

彭松 ;

王培界 ;

黄建 .

中国专利 :CN111816733A ,2020-10-23