具有高台阶结构的硅片的金属剥离工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011444807.6

申请日：

2020-12-11

公开(公告)号：

CN112563129A

公开(公告)日：

2021-03-26

发明(设计)人：

耿增华宋厚伟

申请人：

申请人地址：

215000 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城中北区23幢3楼

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L21285

代理机构：

苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32295

代理人：

唐静芳

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-04-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20201211
2021-03-26	公开	公开

共 50 条

[1]

具有高台阶结构的硅片表面光刻方法 [P].

蒋丽 ;

杨涛 .

中国专利 :CN108107683B ,2018-06-01

[2]

一种金属剥离工艺的收集装置和金属剥离装置 [P].

邹福松 ;

蔡文必 .

中国专利 :CN214937819U ,2021-11-30

[3]

具有台阶结构的搓齿板 [P].

李斌 .

中国专利 :CN217451956U ,2022-09-20

[4]

具有台阶结构的拉丝机箱 [P].

谭礼春 .

中国专利 :CN204912320U ,2015-12-30

[5]

具有台阶结构的半导体器件 [P].

高吴昊 ;

吴毅锋 ;

曾凡明 .

中国专利 :CN223080397U ,2025-07-08

[6]

一种具有台阶结构的封装芯片以及加工工艺 [P].

吴子明 .

中国专利 :CN106960826A ,2017-07-18

[7]

具有多变台阶效果的盖板结构 [P].

黄盛谋 ;

林焕力 ;

吴斯琪 ;

陈泽松 .

中国专利 :CN222465072U ,2025-02-11

[8]

具有台阶结构的紧固件总成 [P].

丁更新 .

中国专利 :CN205806140U ,2016-12-14

[9]

具有可湿剥离的中间层的半导体结构的图案化工艺 [P].

陈建志 ;

陈佳伟 ;

张庆裕 ;

吴少均 .

中国专利 :CN106019849A ,2016-10-12

[10]

金属电极剥离胶膜的制作方法及金属剥离电极的制作方法 [P].

刘海军 ;

田坤 ;

申志辉 ;

刘奎余 ;

吴畯 ;

周帅 ;

叶嗣荣 .

中国专利 :CN113594024B ,2024-01-30

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