具有高台阶结构的硅片表面光刻方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711352487.X

申请日：

2017-12-15

公开(公告)号：

CN108107683B

公开(公告)日：

2018-06-01

发明(设计)人：

蒋丽杨涛

申请人：

申请人地址：

215000 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城中北区23幢综合楼

IPC主分类号：

G03F720

IPC分类号：

H01L21027

代理机构：

苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32295

代理人：

叶栋

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-06-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G03F 7/20 申请日:20171215
2020-03-20	授权	授权
2018-06-01	公开	公开

共 50 条

[1]

具有高台阶结构的硅片的金属剥离工艺 [P].

耿增华 ;

宋厚伟 .

中国专利 :CN112563129A ,2021-03-26

[2]

一种用于硅片表面光刻胶保护的储存柜 [P].

何学涛 ;

顾大公 ;

岳力挽 ;

阴奔野 ;

郑广磊 ;

马潇 ;

毛智彪 ;

许从应 .

中国专利 :CN214398106U ,2021-10-15

[3]

一种去除硅片表面光刻胶后的废液处理装置 [P].

陆雨 .

中国专利 :CN222015350U ,2024-11-15

[4]

ONO层表面光刻胶返工的改善方法 [P].

王佳兴 ;

刘政红 ;

陈昊瑜 ;

黄冠群 ;

齐瑞生 .

中国专利 :CN115050748A ,2022-09-13

[5]

基于高台阶斜坡的光刻方法及系统 [P].

苏佳乐 .

中国专利 :CN103777468B ,2014-05-07

[6]

具有台阶的衬底的光刻方法 [P].

王雷 .

中国专利 :CN102955364A ,2013-03-06

[7]

一种基片的表面光刻和湿法刻蚀方法 [P].

亢喆 ;

温涛 ;

邱国臣 .

中国专利 :CN106773537B ,2017-05-31

[8]

一种去除晶圆表面光刻胶的方法 [P].

曹娟 ;

黄寓洋 .

中国专利 :CN115047733A ,2022-09-13

[9]

一种疏水表面光刻工艺 [P].

肖长诗 ;

徐庆宇 ;

梁学磊 .

中国专利 :CN103885300B ,2014-06-25

[10]

一种去除金属薄膜表面光刻胶的方法 [P].

王依依 ;

许杨 .

中国专利 :CN119181637A ,2024-12-24

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