轴向电阻率均匀的硅单晶生长技术

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610364028.2

申请日：

2016-05-30

公开(公告)号：

CN105887193A

公开(公告)日：

2016-08-24

发明(设计)人：

张俊宝刘浦锋宋洪伟陈猛

申请人：

申请人地址：

201604 上海市松江区石湖荡镇养石路88号

IPC主分类号：

C30B2906

IPC分类号：

C30B1504 C30B1516 C30B1520

代理机构：

代理人：

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-10-02	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C30B 29/06 申请公布日:20160824
2016-08-24	公开	公开
2017-10-13	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101751767160 IPC(主分类):C30B 29/06 专利申请号:2016103640282 申请日:20160530

共 50 条

[1]

一种掺杂电阻率均匀的N型铸造硅单晶及其制备方法 [P].

余学功 ;

肖承全 ;

杨德仁 .

中国专利 :CN102560646A ,2012-07-11

[2]

硅单晶电阻率标准样片校准装置 [P].

王昕 ;

李俊生 ;

叶灿明 ;

钟雄 .

中国专利 :CN217060345U ,2022-07-26

[3]

用于改善直拉硅单晶电阻率均匀性的导流筒结构 [P].

娄中士 ;

李亚哲 ;

马萌 ;

孙昊 ;

孙毅 .

中国专利 :CN204918835U ,2015-12-30

[4]

提高掺锑硅单晶轴向电阻均匀性的方法及掺锑硅单晶 [P].

王军磊 ;

乔乐 ;

付明全 ;

徐志群 .

中国专利 :CN120330871A ,2025-07-18

[5]

基于电阻率的硅单晶晶棒分段方法 [P].

王忠保 ;

芮阳 ;

白园 ;

马成 ;

王黎光 ;

曹启刚 ;

赵娜 ;

倪浩然 ;

赵延祥 .

中国专利 :CN118372380A ,2024-07-23

[6]

一种掺杂电阻率均匀的N型直拉硅单晶及其制备方法 [P].

余学功 ;

肖承全 ;

杨德仁 .

中国专利 :CN102560627A ,2012-07-11

[7]

提高直拉单晶硅轴向电阻率均匀性的方法及得到的单晶硅 [P].

杨德仁 ;

陈鹏 ;

余学功 ;

吴轶超 ;

陈仙子 .

中国专利 :CN102912424A ,2013-02-06

[8]

一种提高区熔硅单晶轴向与径向电阻率均匀性的反射环 [P].

刘铮 ;

王遵义 ;

娄中士 ;

韩暐 ;

涂颂昊 ;

孙昊 ;

王彦君 ;

张雪囡 ;

由佰玲 .

中国专利 :CN105177699A ,2015-12-23

[9]

一种提高区熔硅单晶轴向与径向电阻率均匀性的反射环 [P].

刘铮 ;

王遵义 ;

娄中士 ;

韩暐 ;

涂颂昊 ;

孙昊 ;

王彦君 ;

张雪囡 ;

由佰玲 .

中国专利 :CN205035488U ,2016-02-17

[10]

降低重掺砷硅单晶头部电阻率的拉晶方法 [P].

魏兴彤 ;

杨凯 ;

芮阳 ;

伊冉 ;

王忠保 ;

王黎光 ;

曹启刚 .

中国专利 :CN120138780A ,2025-06-13

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