硅单晶电阻率标准样片校准装置

被引：0

申请号：

CN202123405774.7

申请日：

2021-12-30

公开(公告)号：

CN217060345U

公开(公告)日：

2022-07-26

发明(设计)人：

王昕李俊生叶灿明钟雄

申请人：

申请人地址：

511330 广东省广州市增城区新城大道400号增城低碳总部新城创业中心12号楼607

IPC主分类号：

G01R2702

IPC分类号：

代理机构：

广州市华学知识产权代理有限公司 44245

代理人：

郑秋松

法律状态：

授权

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-07-26	授权	授权

共 50 条

[1]

基于电阻率的硅单晶晶棒分段方法 [P].

王忠保 ;

芮阳 ;

白园 ;

马成 ;

王黎光 ;

曹启刚 ;

赵娜 ;

倪浩然 ;

赵延祥 .

中国专利 :CN118372380A ,2024-07-23

[2]

低电阻率重掺砷硅单晶生产方法 [P].

周文辉 ;

王忠保 ;

闫龙 .

中国专利 :CN113564693B ,2021-10-29

[3]

一种可改善硅单晶纵向电阻率石英坩埚 [P].

贾国华 ;

王凯 ;

郭谦 ;

张文霞 ;

王福如 .

中国专利 :CN215976131U ,2022-03-08

[4]

轴向电阻率均匀的硅单晶生长技术 [P].

张俊宝 ;

刘浦锋 ;

宋洪伟 ;

陈猛 .

中国专利 :CN105887193A ,2016-08-24

[5]

低电阻率重掺磷硅单晶生产装置及方法 [P].

伊冉 ;

王黎光 ;

张兴茂 ;

闫龙 ;

李小红 .

中国专利 :CN113668048A ,2021-11-19

[6]

用于改善直拉硅单晶电阻率均匀性的导流筒结构 [P].

娄中士 ;

李亚哲 ;

马萌 ;

孙昊 ;

孙毅 .

中国专利 :CN204918835U ,2015-12-30

[7]

一种改善区熔硅单晶径向电阻率分布的掺杂装置 [P].

娄中士 ;

刘铮 ;

王遵义 ;

郝大维 ;

刘琨 ;

王彦君 ;

李立伟 .

中国专利 :CN206916251U ,2018-01-23

[8]

一种控制直拉硅单晶头部电阻率的方法 [P].

李建弘 ;

张雪囡 ;

李翔 ;

沈浩平 ;

董兆清 .

中国专利 :CN102181919B ,2011-09-14

[9]

电阻率测量装置 [P].

高利晶 ;

周全超 ;

高健勋 ;

王维 ;

李继升 ;

冯来宏 .

中国专利 :CN214795004U ,2021-11-19

[10]

一种改善区熔硅单晶电阻率均匀性的掺杂线圈 [P].

张志富 ;

王遵义 ;

刘凯 ;

吴磊 ;

李小龙 ;

陈玉桥 ;

程亚胜 ;

王彦君 .

中国专利 :CN212955435U ,2021-04-13

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