等离子体蚀刻方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201680005474.2

申请日：

2016-01-19

公开(公告)号：

CN107112233A

公开(公告)日：

2017-08-29

发明(设计)人：

乾裕俊

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L213065

IPC分类号：

代理机构：

北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413

代理人：

邵秋雨;赵曦

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-08-29	公开	公开
2017-09-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101749362285 IPC(主分类):H01L 21/3065 专利申请号:2016800054742 申请日:20160119
2020-02-07	发明专利申请公布后的撤回	发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):H01L 21/3065 申请公布日:20170829

共 50 条

[1]

等离子体蚀刻方法 [P].

樱井隆觉 .

中国专利 :CN108701613A ,2018-10-23

[2]

等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置 [P].

八田浩一 ;

前川薫 ;

佐藤渚 ;

大野久美子 ;

田原慈 ;

雅各·法盖 ;

雷米·杜萨特 ;

托马斯·蒂洛彻 ;

菲利普·勒福舍 ;

盖尔·安托万 .

中国专利 :CN111527591A ,2020-08-11

[3]

等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法 [P].

田中聪志 .

中国专利 :CN111755357A ,2020-10-09

[4]

等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置 [P].

宇田秀一郎 ;

平山祐介 .

中国专利 :CN101521158B ,2009-09-02

[5]

等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法 [P].

广瀬润 ;

上田雄大 .

中国专利 :CN110010439A ,2019-07-12

[6]

等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置 [P].

松山昇一郎 ;

本田昌伸 .

中国专利 :CN101609799B ,2009-12-23

[7]

等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置 [P].

中川显 .

中国专利 :CN104900511B ,2015-09-09

[8]

等离子体蚀刻方法及等离子体蚀刻装置 [P].

川上雅人 ;

永关澄江 .

中国专利 :CN102187439A ,2011-09-14

[9]

等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置 [P].

八田浩一 ;

前川薫 ;

佐藤渚 ;

大野久美子 ;

田原慈 ;

雅各·法盖 ;

雷米·杜萨特 ;

托马斯·蒂洛彻 ;

菲利普·勒福舍 ;

盖尔·安托万 .

日本专利 :CN111527591B ,2024-08-13

[10]

等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法 [P].

田中聪志 .

日本专利 :CN111755357B ,2025-08-22

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