一种纳米电容三维集成结构及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010944488.9

申请日：

2020-09-10

公开(公告)号：

CN112201655B

公开(公告)日：

2021-01-08

发明(设计)人：

朱宝陈琳孙清清张卫

申请人：

申请人地址：

200433 上海市杨浦区邯郸路220号

IPC主分类号：

H01L2708

IPC分类号：

H01L21822

代理机构：

北京得信知识产权代理有限公司 11511

代理人：

孟海娟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-01-08	公开	公开
2022-04-29	授权	授权
2021-01-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/08 申请日:20200910

共 50 条

[1]

一种纳米电容三维集成结构及其制备方法 [P].

朱宝 ;

陈琳 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN112151536B ,2020-12-29

[2]

一种纳米电容三维集成结构及其制造方法 [P].

朱宝 ;

陈琳 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN112151538B ,2020-12-29

[3]

一种纳米电容三维集成结构及其制备方法 [P].

朱宝 ;

陈琳 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN112018070B ,2020-12-01

[4]

一种硅基纳米电容三维集成结构及其制备方法 [P].

朱宝 ;

陈琳 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN112151535A ,2020-12-29

[5]

三维封装结构及其制作方法 [P].

肖克来提 .

中国专利 :CN119601529A ,2025-03-11

[6]

一种Micro LED的三维集成结构和制作方法 [P].

于大全 ;

姜峰 ;

王阳红 .

中国专利 :CN110233200B ,2024-03-05

[7]

一种Micro LED的三维集成结构和制作方法 [P].

于大全 ;

姜峰 ;

王阳红 .

中国专利 :CN110233200A ,2019-09-13

[8]

三维集成结构及其制备方法 [P].

朱宝 ;

陈琳 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN112670285A ,2021-04-16

[9]

三维集成结构及其制造方法 [P].

陈琳 ;

朱宝 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN112908991B ,2021-06-04

[10]

三维集成结构及其制造方法 [P].

陈琳 ;

朱宝 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN112908990B ,2021-06-04

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