一种纳米电容三维集成结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010944489.3

申请日：

2020-09-10

公开(公告)号：

CN112151538B

公开(公告)日：

2020-12-29

发明(设计)人：

朱宝陈琳孙清清张卫

申请人：

申请人地址：

200433 上海市杨浦区邯郸路220号

IPC主分类号：

H01L2708

IPC分类号：

H01L21822

代理机构：

北京得信知识产权代理有限公司 11511

代理人：

孟海娟

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-29	授权	授权
2021-01-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/08 申请日:20200910
2020-12-29	公开	公开

共 50 条

[1]

一种纳米电容三维集成结构及其制作方法 [P].

朱宝 ;

陈琳 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN112201655B ,2021-01-08

[2]

一种纳米电容三维集成结构及其制备方法 [P].

朱宝 ;

陈琳 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN112151536B ,2020-12-29

[3]

一种纳米电容三维集成结构及其制备方法 [P].

朱宝 ;

陈琳 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN112018070B ,2020-12-01

[4]

一种硅基纳米电容三维集成结构及其制备方法 [P].

朱宝 ;

陈琳 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN112151535A ,2020-12-29

[5]

三维集成结构及其制造方法 [P].

陈琳 ;

朱宝 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN112908991B ,2021-06-04

[6]

三维集成结构及其制造方法 [P].

陈琳 ;

朱宝 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN112908990B ,2021-06-04

[7]

三维集成结构及其制造方法 [P].

陈琳 ;

朱宝 ;

孙清清 ;

张卫 .

中国专利 :CN112908993A ,2021-06-04

[8]

集成有三维MIM电容的器件及其制造方法 [P].

刘俊文 .

中国专利 :CN111180414A ,2020-05-19

[9]

三维电容器及其制造方法 [P].

李正贤 ;

朴星昊 ;

崔相俊 .

中国专利 :CN100508109C ,2006-03-01

[10]

一种三维硅电容集成结构、集成无源器件及其制备方法 [P].

车黎明 ;

董义卓 ;

雷光寅 .

中国专利 :CN115547994A ,2022-12-30

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