单晶硅晶片的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200680051077.5

申请日：

2006-12-21

公开(公告)号：

CN101360852A

公开(公告)日：

2009-02-04

发明(设计)人：

江原幸治

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

C30B2906

IPC分类号：

C30B3302 H01L21322

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司

代理人：

高龙鑫

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-02-04	公开	公开
2009-04-01	实质审查的生效	实质审查的生效
2012-12-05	授权	授权

共 50 条

[1]

单晶硅晶片的制造方法 [P].

江原幸治 .

中国专利 :CN101361171A ,2009-02-04

[2]

单晶硅晶片及单晶硅的制造方法 [P].

樱田昌弘 ;

小林武史 ;

森达生 ;

布施川泉 ;

太田友彦 .

中国专利 :CN1406292A ,2003-03-26

[3]

单晶硅晶片、单晶硅晶片的制造方法以及单晶硅晶片的评价方法 [P].

田原史夫 ;

大槻刚 ;

名古屋孝俊 ;

三谷清 .

中国专利 :CN102017069A ,2011-04-13

[4]

单晶硅制造方法以及单晶硅晶片 [P].

菅原孝世 ;

星亮二 .

中国专利 :CN110036143A ,2019-07-19

[5]

单晶硅芯片的制造方法 [P].

速水善范 ;

菊地博康 .

中国专利 :CN101622381A ,2010-01-06

[6]

单晶硅的制造方法、单晶硅及硅晶片 [P].

伊关崇志 ;

鸣嶋康人 .

日本专利 :CN114929950B ,2024-08-23

[7]

单晶硅的制造方法、外延硅晶片、以及单晶硅基板 [P].

菅原孝世 ;

星亮二 .

中国专利 :CN110541191B ,2019-12-06

[8]

单晶硅的制造方法、单晶硅及硅晶片 [P].

伊关崇志 ;

鸣嶋康人 .

中国专利 :CN114929950A ,2022-08-19

[9]

单晶硅的制造方法、外延硅晶片的制造方法、单晶硅及外延硅晶片 [P].

鸣嶋康人 ;

前川浩一 ;

小川福生 ;

川上泰史 .

中国专利 :CN110730831A ,2020-01-24

[10]

单晶硅的制造方法及单晶硅以及硅晶片 [P].

布施川泉 ;

大国祯之 ;

三田村伸晃 ;

太田友彦 ;

胜冈信生 .

中国专利 :CN1646736A ,2005-07-27

← 1 2 3 4 5 →