单晶硅芯片的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200880006135.1

申请日：

2008-01-24

公开(公告)号：

CN101622381A

公开(公告)日：

2010-01-06

发明(设计)人：

速水善范菊地博康

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C30B2906

IPC分类号：

C30B1500 H01L2126 H01L21322

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司

代理人：

吕俊清

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-01-06	公开	公开
2010-03-03	实质审查的生效	实质审查的生效
2013-07-31	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101644431203 IPC(主分类):C30B 29/06 专利申请号:2008800061351 申请公布日:20100106

共 50 条

[1]

单晶硅晶片的制造方法 [P].

江原幸治 .

中国专利 :CN101360852A ,2009-02-04

[2]

单晶硅晶片的制造方法 [P].

江原幸治 .

中国专利 :CN101361171A ,2009-02-04

[3]

单晶硅晶片及单晶硅的制造方法 [P].

樱田昌弘 ;

小林武史 ;

森达生 ;

布施川泉 ;

太田友彦 .

中国专利 :CN1406292A ,2003-03-26

[4]

单晶硅制造方法以及单晶硅晶片 [P].

菅原孝世 ;

星亮二 .

中国专利 :CN110036143A ,2019-07-19

[5]

单晶硅的制造方法 [P].

梶原薰 ;

末若良太 ;

田中英树 ;

金原崇浩 .

中国专利 :CN108350603A ,2018-07-31

[6]

单晶硅的制造方法 [P].

林三照 ;

杉村涉 ;

小野敏昭 ;

藤原俊幸 .

中国专利 :CN108779577A ,2018-11-09

[7]

单晶硅晶片、单晶硅晶片的制造方法以及单晶硅晶片的评价方法 [P].

田原史夫 ;

大槻刚 ;

名古屋孝俊 ;

三谷清 .

中国专利 :CN102017069A ,2011-04-13

[8]

单晶硅的制造方法及单晶硅 [P].

横山龙介 ;

藤原俊幸 .

中国专利 :CN108291327A ,2018-07-17

[9]

单晶硅的制造方法及单晶硅制造装置 [P].

坂本英城 ;

杉村涉 ;

横山龙介 ;

松岛直辉 ;

四井拓也 .

日本专利 :CN120981615A ,2025-11-18

[10]

单晶硅的制造方法及单晶硅制造装置 [P].

杉村涉 ;

横山龙介 ;

坂本英城 ;

松岛直辉 ;

村松祐 .

日本专利 :CN121002233A ,2025-11-21

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