一种p型非晶硅碳-纳米颗粒硅多量子阱窗口层材料

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210436043.5

申请日：

2012-11-05

公开(公告)号：

CN102903767A

公开(公告)日：

2013-01-30

发明(设计)人：

倪牮马峻张建军侯国付陈新亮张晓丹赵颖

申请人：

申请人地址：

300071 天津市南开区卫津路94号

IPC主分类号：

H01L310376

IPC分类号：

H01L310352

代理机构：

天津佳盟知识产权代理有限公司 12002

代理人：

侯力

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-01-30	公开	公开
2013-03-13	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101409725840 IPC(主分类):H01L 31/0376 专利申请号:2012104360435 申请日:20121105
2015-08-12	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101719259649 IPC(主分类):H01L 31/0376 专利申请号:2012104360435 申请公布日:20130130

共 50 条

[1]

一种制备P型掺杂非晶硅碳薄膜的装置 [P].

彭寿 ;

王芸 ;

马立云 ;

崔介东 .

中国专利 :CN203582968U ,2014-05-07

[2]

一种制备P型掺杂非晶硅碳薄膜的装置 [P].

彭寿 ;

王芸 ;

马立云 ;

崔介东 .

中国专利 :CN103572256B ,2014-02-12

[3]

非制冷红外探测阵列用自掺杂硅锗/硅多量子阱热敏材料 [P].

董涛 ;

王开鹰 ;

姜波 ;

何勇 ;

杨朝初 ;

苏岩 .

中国专利 :CN103630247A ,2014-03-12

[4]

一种非晶硅纳米颗粒的制备方法 [P].

陈晓原 ;

刘治国 ;

刘俊明 .

中国专利 :CN101172607B ,2008-05-07

[5]

一种非晶硅薄膜-P型晶体硅叠层太阳电池及制造工艺 [P].

包健 .

中国专利 :CN102842635A ,2012-12-26

[6]

PI柔性衬底太阳电池用P型微晶硅碳薄膜材料及制备 [P].

蔡宏琨 ;

张德贤 ;

胡居涛 ;

陶科 ;

赵静芳 ;

王林申 ;

靳果 ;

谢珂 .

中国专利 :CN102142469A ,2011-08-03

[7]

一种含硅量子点碳硅基薄膜材料制备方法 [P].

姜礼华 ;

肖业权 ;

谭新玉 ;

孙宜华 ;

向鹏 ;

肖婷 .

中国专利 :CN105551934B ,2016-05-04

[8]

一种纳米碳管硅胶封装的非晶硅薄膜太阳电池 [P].

周之斌 ;

马玉锋 ;

吕寅 ;

杨健 ;

方超 ;

周金莲 ;

童朝俊 ;

喻龙 .

中国专利 :CN202178283U ,2012-03-28

[9]

一种具有梯度型带隙特征的纳米硅窗口层及其制备方法 [P].

侯国付 ;

倪牮 ;

马峻 ;

刘飞连 ;

张晓丹 ;

赵颖 .

中国专利 :CN102569481B ,2012-07-11

[10]

柱状结构纳米硅/非晶硅碳复合光导层液晶光阀及制备方法 [P].

杜丕一 ;

于永红 ;

韩高荣 ;

翁文剑 .

中国专利 :CN1332243C ,2004-05-05

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