一种制备P型掺杂非晶硅碳薄膜的装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201320703998.2

申请日：

2013-11-08

公开(公告)号：

CN203582968U

公开(公告)日：

2014-05-07

发明(设计)人：

彭寿王芸马立云崔介东

申请人：

申请人地址：

233010 安徽省蚌埠市禹会区涂山路1047号

IPC主分类号：

C23C1644

IPC分类号：

C23C16448 C23C1630 H01L3120

代理机构：

安徽省蚌埠博源专利商标事务所 34113

代理人：

杨晋弘

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-05-07	授权	授权
2016-03-09	避免重复授权放弃专利权	避免重复授予专利权号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101729001654 IPC(主分类):C23C 16/44 专利号:ZL2013207039982 申请日:20131108 授权公告日:20140507 放弃生效日:20160309

共 50 条

[1]

一种制备P型掺杂非晶硅碳薄膜的装置 [P].

彭寿 ;

王芸 ;

马立云 ;

崔介东 .

中国专利 :CN103572256B ,2014-02-12

[2]

一种P型掺杂非晶硅薄膜的制备方法及装置 [P].

彭寿 ;

王芸 ;

马立云 ;

崔介东 .

中国专利 :CN103590015A ,2014-02-19

[3]

非晶硅碳薄膜核电池 [P].

李沅民 ;

马昕 .

中国专利 :CN101236794A ,2008-08-06

[4]

一种非晶碳薄膜材料的低温制备方法 [P].

姜礼华 ;

肖业权 ;

谭新玉 ;

肖婷 ;

向鹏 ;

孙宜华 .

中国专利 :CN105386002A ,2016-03-09

[5]

超低摩擦硅铝二元掺杂非晶碳薄膜的制备方法 [P].

郝俊英 ;

刘小强 .

中国专利 :CN103160779B ,2013-06-19

[6]

一种制备铝/氢化非晶硅碳合金双层复合薄膜的方法 [P].

杜丕一 ;

张翼英 ;

翁文剑 ;

韩高荣 ;

赵高凌 ;

汪建勋 ;

宋晨路 ;

沈鸽 ;

徐刚 ;

张溪文 .

中国专利 :CN100476022C ,2007-05-09

[7]

一种p型非晶硅碳-纳米颗粒硅多量子阱窗口层材料 [P].

倪牮 ;

马峻 ;

张建军 ;

侯国付 ;

陈新亮 ;

张晓丹 ;

赵颖 .

中国专利 :CN102903767A ,2013-01-30

[8]

制备非晶硅薄膜的方法 [P].

宋利娟 .

中国专利 :CN110970287B ,2020-04-07

[9]

一种用于制备掺杂非晶硅薄膜的气源 [P].

上官泉元 .

中国专利 :CN112359320A ,2021-02-12

[10]

非晶硅薄膜的处理方法 [P].

李沅民 ;

马昕 .

中国专利 :CN101235490A ,2008-08-06

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