一种P型掺杂非晶硅薄膜的制备方法及装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310548415.8

申请日：

2013-11-08

公开(公告)号：

CN103590015A

公开(公告)日：

2014-02-19

发明(设计)人：

彭寿王芸马立云崔介东

申请人：

申请人地址：

233010 安徽省蚌埠市禹会区涂山路1047号

IPC主分类号：

C23C1624

IPC分类号：

C23C1426 C23C1404 H01L3118 H01L3120

代理机构：

安徽省蚌埠博源专利商标事务所 34113

代理人：

倪波

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-03-09	授权	授权
2014-02-19	公开	公开
2014-04-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101581482099 IPC(主分类):C23C 16/24 专利申请号:2013105484158 申请日:20131108

共 50 条

[1]

一种制备P型掺杂非晶硅碳薄膜的装置 [P].

彭寿 ;

王芸 ;

马立云 ;

崔介东 .

中国专利 :CN203582968U ,2014-05-07

[2]

一种制备P型掺杂非晶硅碳薄膜的装置 [P].

彭寿 ;

王芸 ;

马立云 ;

崔介东 .

中国专利 :CN103572256B ,2014-02-12

[3]

异质结电池P型非晶硅薄膜制备方法、薄膜及应用 [P].

上官泉元 ;

王迅 .

中国专利 :CN118048620A ,2024-05-17

[4]

制备非晶硅薄膜的方法 [P].

宋利娟 .

中国专利 :CN110970287B ,2020-04-07

[5]

非晶硅薄膜的制备方法 [P].

杨远成 .

中国专利 :CN120719282A ,2025-09-30

[6]

一种制备非晶硅薄膜的方法 [P].

贾锐 ;

陈晨 ;

李维龙 ;

刘明 ;

叶甜春 .

中国专利 :CN101928918A ,2010-12-29

[7]

一种用于制备掺杂非晶硅薄膜的气源 [P].

上官泉元 .

中国专利 :CN112359320A ,2021-02-12

[8]

一种非晶硅薄膜的制作装置 [P].

邓文忠 .

中国专利 :CN202595271U ,2012-12-12

[9]

氢化非晶硅薄膜制备方法 [P].

周耐根 ;

罗耀榕 ;

周浪 ;

黄海宾 .

中国专利 :CN109545656A ,2019-03-29

[10]

一种非晶硅薄膜电池的制造装置 [P].

邓文忠 .

中国专利 :CN202595254U ,2012-12-12

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