一种具有梯度型带隙特征的纳米硅窗口层及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210022382.9

申请日：

2012-02-01

公开(公告)号：

CN102569481B

公开(公告)日：

2012-07-11

发明(设计)人：

侯国付倪牮马峻刘飞连张晓丹赵颖

申请人：

申请人地址：

300071 天津市南开区卫津路94号

IPC主分类号：

H01L31075

IPC分类号：

H01L310352 H01L3120 B82Y4000 B82Y2000 C23C1624 C23C1650

代理机构：

天津佳盟知识产权代理有限公司 12002

代理人：

侯力

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-04-02	授权	授权
2018-03-06	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 31/075 申请日:20120201 授权公告日:20140402 终止日期:20170201
2012-09-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101324733838 IPC(主分类):H01L 31/075 专利申请号:2012100223829 申请日:20120201
2012-07-11	公开	公开

共 50 条

[1]

具有折射率渐变特征的硅碳窗口层薄膜和制备方法及应用 [P].

倪牮 ;

马峻 ;

张建军 ;

侯国付 ;

陈新亮 ;

张晓丹 ;

赵颖 .

中国专利 :CN104362183B ,2015-02-18

[2]

一种硅薄膜太阳电池用宽带隙N型纳米硅材料及制备方法 [P].

侯国付 ;

李贵君 ;

耿新华 ;

魏长春 ;

赵颖 .

中国专利 :CN101510566B ,2009-08-19

[3]

硅薄膜太阳电池用P型窗口层及其制备方法 [P].

赵颖 ;

张晓丹 ;

耿新华 ;

魏长春 ;

薛俊明 ;

侯国付 ;

仁慧志 ;

张德坤 ;

孙建 ;

张建军 ;

熊绍珍 .

中国专利 :CN1277318C ,2005-11-16

[4]

一种p型非晶硅碳-纳米颗粒硅多量子阱窗口层材料 [P].

倪牮 ;

马峻 ;

张建军 ;

侯国付 ;

陈新亮 ;

张晓丹 ;

赵颖 .

中国专利 :CN102903767A ,2013-01-30

[5]

一种吸收层具有带隙梯度结构的微晶硅锗薄膜太阳电池 [P].

张建军 ;

曹宇 ;

李天微 ;

黄振华 ;

倪牮 ;

赵颖 ;

耿新华 .

中国专利 :CN102522447A ,2012-06-27

[6]

一种具有硅氢壳层纳米球硅的制备方法 [P].

沈晓东 ;

刘国钧 ;

唐云俊 ;

杨小旭 ;

蒋红彬 .

中国专利 :CN103241740B ,2013-08-14

[7]

一种纳米硅的制备方法及其制备的纳米硅的应用 [P].

黄杰 .

中国专利 :CN111883764A ,2020-11-03

[8]

窗口层为p型微晶硅锗的硅锗薄膜太阳电池及其制备方法 [P].

张建军 ;

尚泽仁 ;

倪牮 ;

曹宇 ;

王先宝 ;

赵颖 ;

耿新华 .

中国专利 :CN101740648A ,2010-06-16

[9]

p型叠层渐变带隙硅量子点多层膜及其制备方法和应用 [P].

单丹 ;

周寿斌 ;

唐明军 ;

杨瑞洪 ;

曹蕴清 ;

钱松 ;

仇实 ;

陈雪圣 .

中国专利 :CN110854215A ,2020-02-28

[10]

一种晶体硅/硅基薄膜叠层电池的制备方法 [P].

牛新伟 ;

刘石勇 ;

韩玮智 ;

胡金艳 ;

张华 ;

朱永敏 ;

冯涛 ;

蒋前哨 ;

胡朋达 ;

金建波 ;

陆川 ;

仇展炜 .

中国专利 :CN103296140A ,2013-09-11

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