用于半导体器件制造的基板结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110025831.0

申请日：

2011-01-24

公开(公告)号：

CN102610579B

公开(公告)日：

2012-07-25

发明(设计)人：

朱慧珑骆志炯尹海洲

申请人：

申请人地址：

美国纽约州波基普西市奥特姆路93#

IPC主分类号：

H01L2313

IPC分类号：

H01L2148 H01L2176

代理机构：

北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370

代理人：

朱海波

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-08-31	授权	授权
2013-08-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101507329279 IPC(主分类):H01L 23/13 专利申请号:2011100258310 申请日:20110124
2021-01-01	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 23/13 申请日:20110124 授权公告日:20160831 终止日期:20200124
2012-07-25	公开	公开

共 50 条

[1]

用于半导体器件制造的基板结构及其制造方法 [P].

朱慧珑 ;

尹海洲 ;

骆志炯 .

中国专利 :CN101976657B ,2011-02-16

[2]

半导体基板及其制造方法和半导体器件结构及其制造方法 [P].

黄河 ;

汪新学 ;

徐海瑛 ;

王敬平 .

中国专利 :CN114446994A ,2022-05-06

[3]

半导体基板及其制造方法和半导体器件结构及其制造方法 [P].

黄河 ;

汪新学 ;

徐海瑛 ;

王敬平 .

中国专利 :CN114446936A ,2022-05-06

[4]

半导体器件、半导体基板、半导体基板的制造方法及半导体器件的制造方法 [P].

秦雅彦 ;

山田永 ;

横山正史 ;

金相贤 ;

张睿 ;

竹中充 ;

高木信一 ;

安田哲二 .

中国专利 :CN103563069A ,2014-02-05

[5]

半导体器件、半导体基板、半导体基板的制造方法及半导体器件的制造方法 [P].

高田朋幸 ;

山田永 ;

秦雅彦 ;

高木信一 ;

前田辰郎 ;

卜部友二 ;

安田哲二 .

中国专利 :CN103548133A ,2014-01-29

[6]

半导体器件、半导体基板、半导体基板的制造方法及半导体器件的制造方法 [P].

秦雅彦 ;

山田永 ;

横山正史 ;

金相贤 ;

竹中充 ;

高木信一 ;

安田哲二 .

中国专利 :CN103563068A ,2014-02-05

[7]

半导体基板、半导体基板的制造方法以及制造装置、半导体器件的制造方法 [P].

神川刚 ;

小林敏洋 ;

须田升 ;

小仓广之 ;

清田满成 .

日本专利 :CN120019476A ,2025-05-16

[8]

半导体基板、半导体基板的制造方法以及制造装置、半导体器件的制造方法 [P].

神川刚 ;

青木优太 ;

武内一真 ;

正木克明 ;

山下文雄 .

日本专利 :CN119998924A ,2025-05-13

[9]

半导体元件基板及其制造方法、半导体器件 [P].

户田顺子 ;

马庭进 ;

塚本健人 .

中国专利 :CN102362345A ,2012-02-22

[10]

半导体器件及其制造方法和半导体基板 [P].

赤星年隆 .

中国专利 :CN101404270A ,2009-04-08

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