一种具有高稳定性的OLED器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910110447.7

申请日：

2019-02-11

公开(公告)号：

CN109887959B

公开(公告)日：

2019-06-14

发明(设计)人：

陈旭张国辉董艳波于永超吴海燕

申请人：

申请人地址：

065500 河北省廊坊市固安县新兴产业示范园区

IPC主分类号：

H01L2732

IPC分类号：

H01L5152 H01L5156

代理机构：

北京东方芊悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11591

代理人：

彭秀丽

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-07-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/32 申请日:20190211
2019-06-14	公开	公开
2021-05-25	授权	授权

共 50 条

[1]

一种高稳定性的OLED器件及其制备方法 [P].

鲁天星 ;

吴海燕 ;

朱映光 ;

谢静 ;

张国辉 ;

胡永岚 .

中国专利 :CN109888116A ,2019-06-14

[2]

一种高稳定性的OLED器件 [P].

鲁天星 ;

吴海燕 ;

朱映光 ;

谢静 ;

张国辉 ;

胡永岚 .

中国专利 :CN209344129U ,2019-09-03

[3]

一种高热稳定性的倒置OLED器件及其制备方法 [P].

徐亚晨 ;

叶子云 ;

封晓猛 ;

魏斌 .

中国专利 :CN114420878A ,2022-04-29

[4]

具有高热稳定性的OLEDs器件及其制备方法 [P].

李抒哲 ;

赵云平 ;

樊毓轩 ;

徐晗飞 ;

高晓辉 ;

兰伟霞 ;

魏斌 .

中国专利 :CN113161501B ,2021-07-23

[5]

一种高动态稳定性高耐压GaN功率器件及其制备方法 [P].

武乐可 ;

夏远洋 ;

李亦衡 ;

朱廷刚 .

中国专利 :CN120730771A ,2025-09-30

[6]

一种高动态稳定性高耐压GaN功率器件及其制备方法 [P].

武乐可 ;

夏远洋 ;

李亦衡 ;

朱廷刚 .

中国专利 :CN120730771B ,2025-11-28

[7]

一种OLED器件稳定性性能测试装置 [P].

胡嘉旭 ;

熊洁强 ;

马飞越 ;

陈逸强 ;

钟浪潮 ;

林文忠 ;

段移旺 .

中国专利 :CN221174866U ,2024-06-18

[8]

具有热稳定性和空穴稳定性的化合物及其制备方法和应用 [P].

鄢亮亮 ;

龚智豪 .

中国专利 :CN106299142A ,2017-01-04

[9]

一种具有高激子利用率的OLED器件及其制备方法 [P].

钱妍 ;

赵洋恺 .

中国专利 :CN120152517B ,2025-07-15

[10]

一种具有高激子利用率的OLED器件及其制备方法 [P].

钱妍 ;

赵洋恺 .

中国专利 :CN120152517A ,2025-06-13

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