一种高动态稳定性高耐压GaN功率器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511196525.1

申请日：

2025-08-26

公开(公告)号：

CN120730771B

公开(公告)日：

2025-11-28

发明(设计)人：

武乐可夏远洋李亦衡朱廷刚

申请人：

江苏能华微电子科技发展有限公司

申请人地址：

215600 江苏省苏州市张家港市杨舍镇福新路2号B12幢

IPC主分类号：

H10D30/47

IPC分类号：

H10D62/10 H10D30/01

代理机构：

北京高沃律师事务所 11569

代理人：

吕永齐

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省苏州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-30	公开	公开
2025-10-21	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/47申请日:20250826
2025-11-28	授权	授权

共 50 条

[1]

一种高动态稳定性高耐压GaN功率器件及其制备方法 [P].

武乐可 ;

夏远洋 ;

李亦衡 ;

朱廷刚 .

中国专利 :CN120730771A ,2025-09-30

[2]

一种高阈值稳定性GaN功率器件及其制备方法 [P].

武乐可 ;

李亦衡 ;

朱廷刚 .

中国专利 :CN119364832B ,2025-04-04

[3]

一种高阈值稳定性GaN功率器件及其制备方法 [P].

武乐可 ;

李亦衡 ;

朱廷刚 .

中国专利 :CN119364832A ,2025-01-24

[4]

一种具有高稳定性的OLED器件及其制备方法 [P].

陈旭 ;

张国辉 ;

董艳波 ;

于永超 ;

吴海燕 .

中国专利 :CN109887959B ,2019-06-14

[5]

一种高耐压的GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

王洪 ;

周昀璐 ;

高升 .

中国专利 :CN113725286A ,2021-11-30

[6]

一种GaN功率器件的制备方法、GaN功率器件 [P].

徐亮 ;

李军政 ;

崔永进 ;

郭佳琦 ;

周鑫 ;

于倩倩 ;

钟美云 .

中国专利 :CN117690792A ,2024-03-12

[7]

GaN功率器件及其制备方法 [P].

王方洲 ;

汪洋 ;

丁国建 ;

俞程 ;

王晓晖 ;

冯琦 ;

于萍 ;

贾海强 ;

陈弘 .

中国专利 :CN118263306A ,2024-06-28

[8]

GaN功率器件及其制备方法 [P].

王骁 ;

张育民 .

中国专利 :CN120111942A ,2025-06-06

[9]

GaN功率器件及其制备方法 [P].

王方洲 ;

汪洋 ;

丁国建 ;

俞程 ;

王晓晖 ;

冯琦 ;

于萍 ;

贾海强 ;

陈弘 .

中国专利 :CN118263306B ,2024-11-19

[10]

一种功率器件的动态稳定性能评估方法 [P].

曾潇 ;

李泽宏 ;

万佳利 .

中国专利 :CN112710939A ,2021-04-27

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