降低硅片金属杂质的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110690063.4

申请日：

2021-06-22

公开(公告)号：

CN113506733A

公开(公告)日：

2021-10-15

发明(设计)人：

周星星郑刚张召

申请人：

申请人地址：

214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号

IPC主分类号：

H01L21324

IPC分类号：

H01L2166

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

戴广志

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-10-15	公开	公开
2021-11-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/324 申请日:20210622

共 50 条

[1]

一种硅片外延层中金属杂质的去除方法及硅片 [P].

胡浩 ;

庞龙龙 ;

陈猛 .

中国专利 :CN118737826A ,2024-10-01

[2]

降低多晶硅金属杂质的方法 [P].

张驰 ;

熊震 ;

付少永 ;

王梅花 .

中国专利 :CN102336409A ,2012-02-01

[3]

硅片金属杂质检测样品保护装置及硅片金属杂质检测方法 [P].

陈宇驰 ;

张俊宝 ;

陈猛 .

中国专利 :CN113495095A ,2021-10-12

[4]

一种去除硅片金属杂质的方法 [P].

江润峰 ;

曹威 .

中国专利 :CN103871871A ,2014-06-18

[5]

一种硅片表面金属杂质的取样装置 [P].

刘维海 ;

庞龙龙 ;

聂环 ;

张俊宝 ;

陈猛 .

中国专利 :CN220982855U ,2024-05-17

[6]

背封硅片的制作方法 [P].

张栋 ;

郭振强 .

中国专利 :CN111710596B ,2020-09-25

[7]

一种检测硅片中金属杂质的方法 [P].

罗继薇 ;

胡浩 ;

庞龙龙 ;

李鹏 ;

李雅霜 ;

叶斐 ;

陈猛 .

中国专利 :CN119028856A ,2024-11-26

[8]

一种降低单晶硅片低温氧化背封膜金属的加工方法 [P].

张立安 ;

张庆旭 ;

沈益军 ;

郑欢欣 ;

肖世豪 ;

饶伟星 ;

舒健恺 .

中国专利 :CN120998774A ,2025-11-21

[9]

金属互连结构的制作方法 [P].

李存宝 ;

孙少俊 ;

冯冰 ;

郭振强 .

中国专利 :CN117995768A ,2024-05-07

[10]

金属互连介质层空气隙的制造方法及金属互连介质层 [P].

包强 .

中国专利 :CN114121787A ,2022-03-01

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