一种检测硅片中金属杂质的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411135729.X

申请日：

2024-08-19

公开(公告)号：

CN119028856A

公开(公告)日：

2024-11-26

发明(设计)人：

罗继薇胡浩庞龙龙李鹏李雅霜叶斐陈猛

申请人：

上海超硅半导体股份有限公司重庆超硅半导体有限公司

申请人地址：

201616 上海市松江区鼎松路150弄1-15号

IPC主分类号：

H01L21/66

IPC分类号：

代理机构：

北京品源专利代理有限公司 11332

代理人：

刘逸卿

法律状态：

公开

国省代码：

重庆市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-26	公开	公开
2024-12-13	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/66申请日:20240819

共 50 条

[1]

一种晶态硅片金属杂质含量检测方法 [P].

王海涛 ;

廖晖 ;

李林东 ;

肖贵云 ;

陈伟 ;

金浩 .

中国专利 :CN107607494A ,2018-01-19

[2]

硅片金属杂质检测样品保护装置及硅片金属杂质检测方法 [P].

陈宇驰 ;

张俊宝 ;

陈猛 .

中国专利 :CN113495095A ,2021-10-12

[3]

一种硅片外延层中金属杂质的去除方法及硅片 [P].

胡浩 ;

庞龙龙 ;

陈猛 .

中国专利 :CN118737826A ,2024-10-01

[4]

一种去除硅片金属杂质的方法 [P].

江润峰 ;

曹威 .

中国专利 :CN103871871A ,2014-06-18

[5]

降低硅片金属杂质的方法 [P].

周星星 ;

郑刚 ;

张召 .

中国专利 :CN113506733A ,2021-10-15

[6]

一种测量硅片表面金属杂质的前处理方法 [P].

李晓丽 ;

孙威 .

中国专利 :CN103123904B ,2013-05-29

[7]

减少硅晶片中的金属杂质的方法 [P].

L·W·夏夫 ;

B·L·吉尔摩 .

中国专利 :CN100466200C ,2007-06-13

[8]

一种硅片表面金属杂质的管控方法 [P].

蔡伟耀 ;

卢健平 .

中国专利 :CN112614789B ,2025-07-25

[9]

一种硅片表面金属杂质的管控方法 [P].

蔡伟耀 ;

卢健平 .

中国专利 :CN112614789A ,2021-04-06

[10]

一种硅片表面金属杂质的取样装置 [P].

刘维海 ;

庞龙龙 ;

聂环 ;

张俊宝 ;

陈猛 .

中国专利 :CN220982855U ,2024-05-17

← 1 2 3 4 5 →