半导体装置以及半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010267658.0

申请日：

2010-08-30

公开(公告)号：

CN102044559A

公开(公告)日：

2011-05-04

发明(设计)人：

本田成人楢崎敦司本并薰

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L29861 H01L2102

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

闫小龙;徐予红

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-05-06	授权	授权
2011-05-04	公开	公开
2011-06-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101080109403 IPC(主分类):H01L 29/06 专利申请号:2010102676580 申请日:20100830

共 50 条

[1]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

小山路子 ;

奥裕一朗 .

中国专利 :CN102544072A ,2012-07-04

[2]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

樱井大辅 ;

糸井清一 .

日本专利 :CN112447657B ,2025-11-07

[3]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

樱井大辅 ;

糸井清一 .

中国专利 :CN112447657A ,2021-03-05

[4]

半导体装置的制造方法以及半导体装置 [P].

樱井仁美 ;

秋野胜 .

中国专利 :CN108461401A ,2018-08-28

[5]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

上马场龙 ;

高桥彻雄 ;

古川彰彦 .

中国专利 :CN110400839A ,2019-11-01

[6]

半导体装置的制造方法以及半导体装置 [P].

舛冈富士雄 ;

原田望 ;

中村広记 ;

李翔 ;

王新朋 ;

陈智贤 ;

阿席特·拉玛昌德拉·卡玛斯 ;

拿伐布·星 .

中国专利 :CN103582937A ,2014-02-12

[7]

半导体装置的制造方法以及半导体装置的制造装置 [P].

樱井大辅 ;

糸井清一 .

日本专利 :CN121237768A ,2025-12-30

[8]

半导体装置以及用于制造半导体装置的方法 [P].

三原竜善 .

中国专利 :CN107123652A ,2017-09-01

[9]

半导体装置、半导体模块以及半导体装置的制造方法 [P].

洼内源宜 ;

谷口竣太郎 ;

若林孝昌 ;

吉村尚 ;

下泽慎 .

日本专利 :CN121058359A ,2025-12-02

[10]

半导体衬底、半导体装置、半导体衬底的制造方法、以及半导体装置的制造方法 [P].

鹿内洋志 ;

佐藤宪 ;

篠宫胜 ;

土屋庆太郎 ;

萩本和德 .

中国专利 :CN108140582A ,2018-06-08

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