半导体装置的制造方法以及半导体装置的制造装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511496451.3

申请日：

2020-08-19

公开(公告)号：

CN121237768A

公开(公告)日：

2025-12-30

发明(设计)人：

樱井大辅糸井清一

申请人：

松下知识产权经营株式会社

申请人地址：

日本

IPC主分类号：

H01L23/498

IPC分类号：

H01L23/00 H01L21/48

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

张毅群

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-30	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体装置的制造方法以及半导体装置的制造装置 [P].

岩尾文子 .

中国专利 :CN102630335A ,2012-08-08

[2]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

本田成人 ;

楢崎敦司 ;

本并薰 .

中国专利 :CN102044559A ,2011-05-04

[3]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

樱井大辅 ;

糸井清一 .

日本专利 :CN112447657B ,2025-11-07

[4]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

樱井大辅 ;

糸井清一 .

中国专利 :CN112447657A ,2021-03-05

[5]

半导体装置的制造方法以及半导体装置 [P].

舛冈富士雄 ;

原田望 ;

中村広记 ;

李翔 ;

王新朋 ;

陈智贤 ;

阿席特·拉玛昌德拉·卡玛斯 ;

拿伐布·星 .

中国专利 :CN103582937A ,2014-02-12

[6]

半导体装置的制造方法以及半导体制造装置 [P].

进藤正典 .

中国专利 :CN102891095B ,2013-01-23

[7]

半导体装置的制造方法、半导体制造装置以及半导体装置 [P].

秋好恭兵 ;

中西洋介 ;

山田胜 .

日本专利 :CN118658824A ,2024-09-17

[8]

半导体装置的制造方法以及半导体装置的制造装置 [P].

小岛康彦 ;

池田太郎 ;

波多野达夫 .

中国专利 :CN101490818B ,2009-07-22

[9]

半导体装置的制造装置以及半导体装置的制造方法 [P].

古贺信二 ;

太原润 .

日本专利 :CN118848209A ,2024-10-29

[10]

半导体装置的制造装置以及半导体装置的制造方法 [P].

绪方佳之 .

中国专利 :CN115529843A ,2022-12-27

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