半导体装置的制造装置以及半导体装置的制造方法

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申请号
CN202180003333.8
申请日
2021-04-27
公开(公告)号
CN115529843A
公开(公告)日
2022-12-27
发明(设计)人
绪方佳之
申请人
申请人地址
日本东京武藏村山市伊奈平二丁目51番地之1(邮递区号:208-8585)
IPC主分类号
H01L2150
IPC分类号
H01L2300
代理机构
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205
代理人
王蕊;臧建明
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体装置的制造装置以及半导体装置的制造方法 [P]. 
瀬山耕平 ;
高桥诚 .
中国专利 :CN113767465A ,2021-12-07
[2]
半导体装置的制造方法、半导体制造装置以及半导体装置 [P]. 
秋好恭兵 ;
中西洋介 ;
山田胜 .
日本专利 :CN118658824A ,2024-09-17
[3]
半导体装置的制造方法以及半导体装置的制造装置 [P]. 
岩尾文子 .
中国专利 :CN102630335A ,2012-08-08
[4]
半导体装置的制造方法以及半导体装置的制造装置 [P]. 
小岛康彦 ;
池田太郎 ;
波多野达夫 .
中国专利 :CN101490818B ,2009-07-22
[5]
半导体装置的制造装置以及半导体装置的制造方法 [P]. 
古贺信二 ;
太原润 .
日本专利 :CN118848209A ,2024-10-29
[6]
半导体装置的制造装置以及半导体装置的制造方法 [P]. 
小牟田直幸 .
中国专利 :CN105990186A ,2016-10-05
[7]
半导体装置的制造装置以及半导体装置的制造方法 [P]. 
糸永修司 ;
古山英人 ;
远藤光芳 .
中国专利 :CN105990206A ,2016-10-05
[8]
半导体装置的制造装置以及半导体装置的制造方法 [P]. 
杉沢佳史 .
中国专利 :CN103715117A ,2014-04-09
[9]
半导体装置的制造方法以及半导体装置的制造装置 [P]. 
樱井大辅 ;
糸井清一 .
日本专利 :CN121237768A ,2025-12-30
[10]
半导体装置的制造装置以及半导体装置的制造方法 [P]. 
高木保志 ;
山下钦也 ;
上野和起 .
日本专利 :CN118107080A ,2024-05-31