半导体装置以及半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110421333.8

申请日：

2011-12-15

公开(公告)号：

CN102544072A

公开(公告)日：

2012-07-04

发明(设计)人：

小山路子奥裕一朗

申请人：

申请人地址：

日本埼玉县

IPC主分类号：

H01L29423

IPC分类号：

H01L21336 H01L2128

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司 11127

代理人：

李辉;黄纶伟

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-04-22	授权	授权
2012-07-04	公开	公开
2012-09-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101322510681 IPC(主分类):H01L 29/423 专利申请号:2011104213338 申请日:20111215

共 50 条

[1]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

野口晴司 .

日本专利 :CN117913131A ,2024-04-19

[2]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

日野史郎 ;

三浦成久 ;

古川彰彦 ;

中尾之泰 ;

渡边友胜 ;

多留谷政良 ;

海老池勇史 ;

今泉昌之 ;

绫淳 .

中国专利 :CN103548145B ,2014-01-29

[3]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

日野史郎 ;

三浦成久 ;

古川彰彦 ;

中尾之泰 ;

渡边友胜 ;

多留谷政良 ;

海老池勇史 ;

今泉昌之 ;

绫淳 .

中国专利 :CN106252416B ,2016-12-21

[4]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

理崎智光 ;

小山内润 .

中国专利 :CN101262012A ,2008-09-10

[5]

半导体装置的制造方法以及半导体装置 [P].

樱井仁美 ;

秋野胜 .

中国专利 :CN108461401A ,2018-08-28

[6]

半导体装置的制造方法以及半导体装置 [P].

大西彻 ;

大木周平 ;

池田知治 ;

R·MD·塔斯比尔 .

中国专利 :CN106233438A ,2016-12-14

[7]

半导体装置的制造方法以及半导体装置 [P].

舛冈富士雄 ;

原田望 ;

中村広记 ;

李翔 ;

王新朋 ;

陈智贤 ;

阿席特·拉玛昌德拉·卡玛斯 ;

拿伐布·星 .

中国专利 :CN103582937A ,2014-02-12

[8]

半导体装置的制造方法 [P].

西田征男 ;

太田和伸 .

中国专利 :CN1531038A ,2004-09-22

[9]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

滨田宪治 ;

三浦成久 .

中国专利 :CN105900221B ,2016-08-24

[10]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

高桥彻雄 .

日本专利 :CN120435034A ,2025-08-05

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