半导体装置的制造方法以及半导体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201580020907.7

申请日：

2015-02-25

公开(公告)号：

CN106233438A

公开(公告)日：

2016-12-14

发明(设计)人：

大西彻大木周平池田知治 R·MD·塔斯比尔

申请人：

申请人地址：

日本爱知县

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L21265 H01L2941 H01L29739 H01L2978

代理机构：

北京市中咨律师事务所 11247

代理人：

万利军;段承恩

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-12-14	公开	公开
2020-05-01	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/336 登记生效日:20200410 变更事项:专利权人变更前权利人:丰田自动车株式会社变更后权利人:株式会社电装变更事项:地址变更前权利人:日本爱知县变更后权利人:日本爱知县
2017-01-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101696039935 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2015800209077 申请日:20150225
2019-05-03	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

上村和贵 ;

洼内源宜 .

中国专利 :CN113809147A ,2021-12-17

[2]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

西村信也 ;

副岛成雅 ;

山本建策 .

中国专利 :CN105164812B ,2015-12-16

[3]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

日野史郎 ;

三浦成久 ;

古川彰彦 ;

中尾之泰 ;

渡边友胜 ;

多留谷政良 ;

海老池勇史 ;

今泉昌之 ;

绫淳 .

中国专利 :CN103548145B ,2014-01-29

[4]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

细田直宏 ;

冈田大介 ;

片山弘造 .

中国专利 :CN103035650B ,2013-04-10

[5]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

日野史郎 ;

三浦成久 ;

古川彰彦 ;

中尾之泰 ;

渡边友胜 ;

多留谷政良 ;

海老池勇史 ;

今泉昌之 ;

绫淳 .

中国专利 :CN106252416B ,2016-12-21

[6]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

木下明将 ;

星保幸 ;

原田祐一 ;

酒井善行 ;

岩谷将伸 ;

吕民雅 .

中国专利 :CN105849877B ,2016-08-10

[7]

半导体装置、半导体模块以及半导体装置的制造方法 [P].

洼内源宜 ;

谷口竣太郎 ;

若林孝昌 ;

吉村尚 ;

下泽慎 .

日本专利 :CN121058359A ,2025-12-02

[8]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

进藤正典 .

中国专利 :CN113224023A ,2021-08-06

[9]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

中川良辅 ;

中尾雄一 .

中国专利 :CN102165576A ,2011-08-24

[10]

半导体装置的制造方法以及半导体装置 [P].

小松大辉 .

日本专利 :CN120813029A ,2025-10-17

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