半导体装置以及半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210369919.9

申请日：

2012-09-28

公开(公告)号：

CN103035650B

公开(公告)日：

2013-04-10

发明(设计)人：

细田直宏冈田大介片山弘造

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L2711521

IPC分类号：

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

李亚;穆德骏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-11-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101588041125 IPC(主分类):H01L 27/115 专利申请号:2012103699199 申请日:20120928
2013-04-10	公开	公开
2015-11-11	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101723371977 IPC(主分类):H01L 27/115 专利申请号:2012103699199 变更事项:申请人变更前:瑞萨电子株式会社变更后:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前:日本神奈川县变更后:日本东京
2017-05-17	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

上村和贵 ;

洼内源宜 .

中国专利 :CN113809147A ,2021-12-17

[2]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

千叶亮 .

中国专利 :CN109659307A ,2019-04-19

[3]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

西村信也 ;

副岛成雅 ;

山本建策 .

中国专利 :CN105164812B ,2015-12-16

[4]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

日野史郎 ;

三浦成久 ;

古川彰彦 ;

中尾之泰 ;

渡边友胜 ;

多留谷政良 ;

海老池勇史 ;

今泉昌之 ;

绫淳 .

中国专利 :CN103548145B ,2014-01-29

[5]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

日野史郎 ;

三浦成久 ;

古川彰彦 ;

中尾之泰 ;

渡边友胜 ;

多留谷政良 ;

海老池勇史 ;

今泉昌之 ;

绫淳 .

中国专利 :CN106252416B ,2016-12-21

[6]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

柴口拓 .

中国专利 :CN111755448A ,2020-10-09

[7]

半导体装置的制造方法以及半导体装置 [P].

大西彻 ;

大木周平 ;

池田知治 ;

R·MD·塔斯比尔 .

中国专利 :CN106233438A ,2016-12-14

[8]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

木下明将 ;

星保幸 ;

原田祐一 ;

酒井善行 ;

岩谷将伸 ;

吕民雅 .

中国专利 :CN105849877B ,2016-08-10

[9]

半导体装置、半导体模块以及半导体装置的制造方法 [P].

洼内源宜 ;

谷口竣太郎 ;

若林孝昌 ;

吉村尚 ;

下泽慎 .

日本专利 :CN121058359A ,2025-12-02

[10]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

进藤正典 .

中国专利 :CN113224023A ,2021-08-06

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