半导体装置以及半导体装置的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811189098.4

申请日：

2018-10-12

公开(公告)号：

CN109659307A

公开(公告)日：

2019-04-19

发明(设计)人：

千叶亮

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县横滨市

IPC主分类号：

H01L2711521

IPC分类号：

H01L29423 H01L2128

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

王岳;闫小龙

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-05-19	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/11521 申请日:20181012
2019-04-19	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

千叶亮 .

中国专利 :CN105609505A ,2016-05-25

[2]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

细田直宏 ;

冈田大介 ;

片山弘造 .

中国专利 :CN103035650B ,2013-04-10

[3]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

柴口拓 .

中国专利 :CN111755448A ,2020-10-09

[4]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

有金刚 ;

久本大 .

中国专利 :CN106486488A ,2017-03-08

[5]

半导体装置、半导体模块以及半导体装置的制造方法 [P].

洼内源宜 ;

谷口竣太郎 ;

若林孝昌 ;

吉村尚 ;

下泽慎 .

日本专利 :CN121058359A ,2025-12-02

[6]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

进藤正典 .

中国专利 :CN113224023A ,2021-08-06

[7]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

中川良辅 ;

中尾雄一 .

中国专利 :CN102165576A ,2011-08-24

[8]

半导体装置的制造方法以及半导体装置 [P].

小松大辉 .

日本专利 :CN120813029A ,2025-10-17

[9]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

高桥彻雄 .

日本专利 :CN120435034A ,2025-08-05

[10]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

伊藤祥代 .

中国专利 :CN104064523A ,2014-09-24

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