存储器件、存储器阵列结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710452299.8

申请日：

2017-06-15

公开(公告)号：

CN107564561B

公开(公告)日：

2018-01-09

发明(设计)人：

廖忠志

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

G11C718

IPC分类号：

G11C814

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-04-27	授权	授权
2018-01-09	公开	公开
2018-02-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 7/18 申请日:20170615

共 50 条

[1]

存储器件、存储器阵列及其制造方法 [P].

康晋锋 ;

于洪宇 ;

高滨 .

中国专利 :CN103137861A ,2013-06-05

[2]

存储器阵列器件及其制造方法 [P].

尹煜峰 ;

彭泰彦 ;

张安胜 ;

蔡瀚霆 ;

傅强 ;

林仲德 .

中国专利 :CN113471357A ,2021-10-01

[3]

存储器阵列器件及其制造方法 [P].

尹煜峰 ;

彭泰彦 ;

张安胜 ;

蔡瀚霆 ;

傅强 ;

林仲德 .

中国专利 :CN113471357B ,2024-08-13

[4]

存储器单元、存储器件及其制造方法 [P].

张盟昇 ;

黄家恩 ;

王奕 .

中国专利 :CN113363259A ,2021-09-07

[5]

存储器单元、存储器件及其制造方法 [P].

张盟昇 ;

黄家恩 ;

王奕 .

中国专利 :CN113363259B ,2024-12-03

[6]

存储器阵列结构及其制造方法 [P].

P·泰萨里欧 ;

R·J·希尔 ;

A·S·叶 ;

库诺·派瑞克 .

美国专利 :CN119031715A ,2024-11-26

[7]

存储器单元、存储器阵列、SRAM器件及其方法 [P].

藤原英弘 ;

陈炎辉 ;

粘逸昕 .

中国专利 :CN112837730B ,2024-03-26

[8]

存储器单元、存储器阵列、SRAM器件及其方法 [P].

藤原英弘 ;

陈炎辉 ;

粘逸昕 .

中国专利 :CN112837730A ,2021-05-25

[9]

存储器阵列、存储器电路及制造存储器器件的方法 [P].

陈宇翔 ;

杨耀仁 ;

李纪宽 .

中国专利 :CN119028406A ,2024-11-26

[10]

半导体器件及其制造方法、存储器阵列 [P].

吴咏捷 ;

何彦忠 ;

魏惠娴 ;

游嘉榕 ;

许秉诚 ;

马礼修 ;

林仲德 .

中国专利 :CN113540147A ,2021-10-22

← 1 2 3 4 5 →